MBE法によるSi/SiO2/Er多層構造1.54μm発光ダイオードの作製

我々のグループではMBE法によりSi/SiO2/Er多層構造を膜厚を制御して成長させ、その発光特性について評価  を行っている。

　　　　　　　　　　　　　　　Si/SiO2/Er多層構造1.54μm発光ダイオードイメージ図

＜MBE(molecular beam epitaxy)法とは＞

主にGaAs等の�V‐�X族化合物半導体を対象に開発された薄膜結晶成長法（真空蒸着法の改良・発展形）。

超高真空中で成長させようとする結晶の原材料の中性分子（または原子）の流れ、すなわち分子線（原子線）

の強度を制御し、加熱した基板上に入射させることによりエピタキシャル成長を行う方法。単原子層レベルでの

薄膜作製が可能。

＜現在使用している装置＞

ガスソースが多層構造成長に適しているかどうかの検証としてSi基板上へのSi層、SiC層、SiO2層の成長

を行っている。

＜新しく製作（途中）したMBE装置＞

上の装置でガスソースを決定し実際に多層構造を成長させるため、MBE装置を製作している。