電子デバイス工学講座卒論発表会日程

日時：１９９５年２月２０日(月)
場所：西２−１０１号室、西２−２０１号室
発表時間：１０分、質問時間：４分、入れ換え：１分
西２−１０１号室の発表日程
審査教官(安永、河野、田中、坂本)
  1. 川端 滋 10:00〜10:15
    半導体レーザの利得飽和に関する研究
  2. 玉手 純也 10:15〜10:30
    半導体レーザにおける注入同期現象
  3. 横山 智一 10:30〜10:45
    InGaAs/GaAs面発光レーザの設計および製作
  4. 菱沼 修 10:45〜11:00
    InGaAs/GaAs面発光レーザの室温連続発振
  5. 篠原 亮一 11:00〜11:15
    分子線エピタキシーによるGaAs/InAs/GaAs歪量子井戸に関する研究
  6. 脇 英司 11:15〜11:30
    GaAs基板上に厚く成長したInAs層へのGaAsの成長に関する研究
  7. Choo Cheow Keong 11:30〜11:45
    カーボンテトラブロマイドによるp型GaAsエピタキシャル層の成長に関する研究
  8. 喜多島 秀行 11:45〜12:00
    GaAs基板上の[100]方向細線およびドットの作製、ならびにMBEによる選択成長に関する研究
昼休み(12:00〜13:45)
審査教官(安永、中田、河野、名取)
  1. 寺島 浩一 13:45〜14:00
    イオン交換法による光導波路に関する研究
  2. 西 徹 14:00〜14:15
    イオン交換法による光導波路を用いた方向性結合器に関する研究
  3. 木下 拓 14:15〜14:30
    非晶質Siのエキシマレーザ熔融再結晶化とSIMSによる評価
  4. 長谷川 久 14:30〜14:45
    エキシマレーザによる非晶質Siの多結晶化に関する研究
  5. 米花 貴 14:45〜15:00
    鎖状及び環状炭素クラスタの振動構造
  6. 矢田部 広利 15:00〜15:15
    固体C60の分子配向にみられる準安定構造
休憩(15:15〜15:45)
審査教官(中田、名取、田中、湯郷)
  1. 中平 政男 15:45〜16:00
    LixC60の電子状態
  2. 清水 優 16:00〜16:15
    イオン打ち込みによる超微細構造作製用マスクの研究
  3. 出島 徹 16:15〜16:30
    ポーラスシリコンにドープしたErの1.54μｍ発光特性の母材依存性
  4. 西田 康宏 16:30〜16:45
    ポーラスシリコン中におけるYbイオンのフォトルミネセンス
  5. 板東 昭典 16:45〜17:00
    電界処理法による高配向ダイヤモンド膜の選択成長に関する研究
  6. 松木 征志 17:00〜17:15
    針状基板のダイヤモンド成長とフィールドエミッション特性
  7. 関口 章 17:15〜17:30
    PL法によるポーラスシリコンの光学的特性の評価
  8. 安藤 也義 17:30〜17:45
    0.35μｍ n-MOSFET におけるホットキャリア劣化の異常についてのデバイスシュミレータ解析
西２−２０１号室号室の発表日程
審査教官(木村、小笠原、齋藤、山口)
  1. 荒川 勝 10:00〜10:15
    SOI(111)の表面電気伝導測定
  2. 小笠原 靖 10:15〜10:30
    Si(111)の低温における表面電気伝導度測定
  3. 木藤 大 10:30〜10:45
    化合物半導体 InP の清浄表面の研究
  4. 永井 由紀雄 10:45〜11:00
    APDを用いた非接触型の温度測定システムの作成
  5. 宮崎 輝 11:00〜11:15
    LEED画像システムの構築
  6. 高瀬 賢順 11:15〜11:30
    原子鎖上の電子波束の運動・電界効果
  7. 杉本 有一郎 11:30〜11:45
    原子鎖上の電子波束の運動・磁界効果
  8. 西山 龍一 11:45〜12:00
    Si(100)欠損ダイマー構造の研究
昼休み(12:00〜13:45)
審査教官(木村、小笠原、庄、坂本)
  1. 村山 正彦 13:45〜14:00
    Ag/Si(111)上のAg超薄膜形成過程
  2. 中島 茂雄 14:00〜14:15
    Si(111)上のAg超薄膜形成過程
  3. 大橋 功路 14:15〜14:30
    Mn2+をインターカレートした粘土鉱物イオンのKバンド電子スピン状態
  4. 橋本 直明 14:30〜14:45
    希土類イオンを利用した太陽電池の高効率化
  5. 佐藤 力 14:45〜15:00
    レーザーデポジション法によるゼオライト薄膜の作成とその評価
  6. 福田 啓一郎 15:15〜15:30
    飛行時間測定法による光CVDの研究
休憩(15:15〜15:45)
審査教官(齋藤、奥山、山口、庄)
  1. 横田 成 15:45〜16:00
    レーザアブレーション法によるCdWO4薄膜の製作
  2. 井上 和宏 16:00〜16:15
    ゼオライト三次元空間へのSi微粒子の閉じ込め
  3. Hashim Bin Ismail 16:15〜16:30
    プラズマCVD法によるDLC薄膜の作製と特性評価
  4. 永井 康史 16:30〜16:45
    多層DLC薄膜の作製と特性評価
  5. 石橋 英治 16:45〜17:00
    半導体薄膜の２次非線形光学定数の評価法
  6. 宮本 正直 17:00〜17:15
    共振器を用いた高効率光第二高調波発生に関する研究
  7. 茅野 達也 17:15〜17:30
    周期構造を用いた位相整合第二高調波発生に関する研究
  8. 霜鳥 仁 17:30〜17:45
    アルカリ土類弗化物中の希土類イオンによる誘電損失