これは卒業研究のガイダンスの時お配りするパンフレットを WWW に変えた物です。詳しい内容は研究紹介 をご覧下さい。

構成

1. 研究内容:

我々の研究室は、新しい半導体材料・デバイスの作製(実験)、また 計算による電子状態計算、ハードウエアの設計(理論)をしてきた。 下記に紹介する卒業研究のテーマもその方向から選ばれたものであ る。かなり専門的な内容であるが、指導教官や大学院生と共に研究 を進めていくので、前提となる知識は特に必要としない。テーマの 選択は希望を尊重する。自主的に研究を切り開いていくような積極 的な学生を望む。

研究室の来年度の構成は、上記のスタッフに加え大学院生とし て4 名(M2 3名、M1 1名)。木村教授及 び一色助手はおもに実験、齋藤 助教授は 理論を研究の手段としている。 イオン打ち込み装置、 フォトルミネ センス装置，その他 SVBL の実験装置を駆使して新しい材料，デバ イスを作製、評価することに興味を持っている学生は木村教授に、 また電子状態の計算手法の物理や集積回路の設計等など種計算機 (ハード、ソフトウエア)を作るのに興味を持っている学生は齋藤助 教授に、と別れて研究が進む。両方に興味を持っている学生は合同 セミナー等で知識を磨く事ができる。KDDの研究所 (上福岡市)で(各1-2名)勉強することもできる。

イオン打ち込み装置 (サテライトベンチャービジネスラボラトリー SVBL)

卒業研究は基本的に木村研究室、齋藤研究室別に募集する。 居室、予算、セミナー等は一緒である。全体セミナー、宴会スポー ツ等はさらに 湯郷研究室 と合同で行っている。OB 会等も充実し、幅 広い分野にまたがって知識と友人を得る事が可能だ。

• 新しいSi発光デバイス光回路の開発(希土類ドープSi,環境半導体FeSi2)(2-3名)
• 半導体量子細線の作成と光デバイスへの応用(2-3名)
• 半導体へのイオン注入とその特性制御(1-2 名)
• Si 上への SiO₂膜の成長 (1-2名)
• 光デバイス関連(または関連課題 KDD研究所、1-2名)
• 半導体集積回路の故障メカニズムとその故障分布モデルに関 する研究(1名, 夜間主コース)

• カーボンナノチューブの研究(1名)
• 手順が複雑な物理系のアルゴリズ厶の研究(1 名)
• MOPAC, Gaussian を用いた物質設計 (2名)
• VHDL を用いた専用 LSI の設計と開発(2 名)

グラファイトクラスターにヨウ素原子を近づけていった時に
得られる遷移状態(MOPAC97 による計算)

2. 研究室のセミナー・設備:

院生を含めた研究室ごとでのセミナー(週一度)と木村・斎藤・湯郷研での 合同セミナー(週一度)がある。研究内容の議論を行うと共に 基礎知識を勉強する。研究室全体のセミナーではプレゼンテーションの 方法の指導や研究内容の議論を集中的に行なう。研究室の設備として、 イオン打ち込み装置 (平成8年度新規導入，SVBL 棟)、真 空蒸着装置、アニール装置、フォトルミネッセンス装置、プラズマ CVD装置、MBE装置等がある。ワークステーションは現在 8 台(ハードディス ク 20 GB)、X 端末が 10 台、 pc 端末が 6 台あり、その他に計算 機環境として必要な物はそろっている。

3. 研究室活動:

1998年 11月 の OB会 (於: 箱根 静雲荘)。

4. 就職状況:

4年生は 大学院進学予定2名(本研究室 1 名, 本学IS科 1 名)，外 務省(公務員),五洋建設,NTTエレクトロニクス, パーソナル情報 システム である。

5. 先輩からメッセージ:

アルテラボードをつくっている99年度M2 沼さん

6. 研究室の公開

日時: 1月19日(水)午後4時30分から1時間程度
集合: 西2号館217号室 (研究室)
内容: 概論、研究室及び実験室の公開、質疑応答

尚1月18日から21日迄(16:30 以降)いつでも研究室の公開、個人的 な質問・相談を受け付けます。研究室志望者は、木村(西2-519)、 又は齋藤(西 2-517)迄顔を出して下さい。研究室の詳細は WWW 上 でも公開されています。 教育系の WWW から木村・齋藤研究室紹介をみるといろいろな ことが随時見ることができます。

研究室の URL: http://flex.ee.uec.ac.jp/japanese/index.html です。