電子デバイス工学講座修論発表会日程

日時：１９９５年２月１７日(金)
場所：西２−１０５号室
発表時間：１５分、質問時間：１５分
午前の部(司会 1,2：田中勝己 3,4,5：小笠原 長篤)
  1. 坂本 達哉 9:30〜10:00
    SOI表面におけるエレクトロマイグレーションの研究:
    SOI表面の清浄化およびIn/SOI(111)表面エレクトロマイグレーション
  2. 芹沢 葉子 10:00〜10:30
    半導体表面エレクトロマイグレーションと表面構造
  3. 堀口 久和 10:30〜11:00
    Si中への熱拡散法によるEr のドーピングとその発光に関する研究
  4. 横井照典 11:00〜11:30
    ポーラスシリコンへのエルビウムの電気化学的ドーピングとその発 光メカニズム
  5. 梅崎 貴裕 11:30〜12:00
    分子線エピタキシーによるInAs/GaAs歪み量子井戸に関する研究
午後の部(司会 1,2,3：河野勝泰 4,5,6：齋藤理一郎)
  1. 美濃越 亮太 13:30〜14:00
    分子線エピタキシーによるGaAs基板上へのInGaAs成長に関する研究
  2. 千葉 直紀 14:00〜14:30
    分子線エピタキシーによるGaAs基板上へのInAsおよびGaAsの選択成長に関する研究
  3. 奈良原 光政 14:30〜15:00
    非晶質シリコンのエキシマレーザアニールに関する研究
  4. 八巻 和喜 15:00〜15:30
    半導体レーザーにおける三次非線形光学効果に関する研究
  5. 田中 和顕 15:30〜16:00
    ITCによるアルカリ土類フッ化物結晶の欠陥の研究
  6. 石行 一貴 16:00〜16:30
    飛行時間分解法による光CVDの研究