JOBNAME m-touroku の受信記録


安永研 9630038 豊嶋 剛司 Toyoshima Tsuyoshi 半導体表面における電気伝導とエレクトロマイグレーション
安永研 9630055 松岡 正道 Matsuoka Masamichi 無電界通電加熱法による半導体表面質量輸送の研究
河野研 9630003 荒井 清孝 Arai Kiyotaka 蛍光増感型光電変換素子の作製と評価
河野研 9630008 石田 幸平 Ishida Kouhei VLSIデバイスプロセスによるSiO2の欠陥のESR
河野研 9630062 山田 晴穂 Yamada Haruo 希土類イオンを利用した太陽電池の効率変化
山口研 9630028 杉本 宝 Sugimoto Takara 正孔の閉じ込めを変えたInGaAsP/InGaAlAs量子井戸
山口研 9630046 平井 克典 Hirai Katsunori 超薄膜InAs歪量子井戸構造のMBE成長
山口研 9630047 日渡 冊人 Hiwatashi Fumito MBE成長によるInAs量子ドット構造の選択的自己組織化
中田研 9630005 有満 匡宏 Arimitsu Masahiro 電子スピン共鳴によるBaF2中の複合体中心の研究
田中研 9630009 井田 大 Ida Masaru 飛行時間質量分析法によるCaWO4のレーザーアブレーションの研究
湯郷研 9630041 中村 伸之 Nakamura Nobuyuki ダイヤモンド気相成長におけるヘテロエピタキシャル成長機構の研究
名取研 9630037 戸田 健太郎 Toda Kentaro KCl/(001)NaCl面上ヘテロエピタキシャル成長
木村研 9630006 池田 典昭 Ikeda Noriaki ポーラスシリコン発光素子の高効率化
木村研 9630029 菅野仙子 Sugeno Hisako NdイオンドープPSの発光メカニズムの研究
木村研 9630031 高橋 雅也 Takahashi Masaya (GaAs)n(GaP)1原子層超格子を用いたAsとPの相互拡散の評価
木村研 9630034 棚谷公彦 tanaya kimihiko 原子層成長によるフィボナッチ超格子の作製
齋藤研 9630033 竹谷 隆夫 Takeya Takao カーボンナノチューブのフォノン分散関係とラマン強度

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