安永研 9320001 網田 正大 amita masahiro Si(100)面のIn蒸着によるファセットの探求
安永研 9410078 佐藤 友紀 sato yuki エレクトロマイグレーションによるSi表面の加工
安永研 9410111 高柳 雄一 Takayanagi Yuuichi -
安永研 9420010 金川 太一 Kanagawa Taichi 原子間力顕微鏡真空加熱機構の作成
安永研 9630038 豊嶋 剛司 Toyoshima Tsuyoshi 半導体表面における電気伝導とエレクトロマイグレーション
安永研 9630055 松岡 正道 Matsuoka Masamichi 無電界通電加熱法による半導体表面質量輸送の研究
奥山研 9320010 勝川 広 Katsukawa Hiroshi プロセスガスの分析に関する調査研究
奥山研 9410196 吉永 規秀 Yosinaga Norihide 石英とシリコンへの窒素ド−ピング
河野研 9310069 佐土貴康 Takayasu Sado 希土類イオンを使った太陽電池の高効率化
河野研 9310113 西川 真樹 Masaki Nishikawa Euイオン打ち込みによる太陽電池の高効率化
河野研 9410154 原 善之 Hara Yoshiyuki ESRによるLSIの欠陥評価
河野研 9410195 吉田 成宏 Yoshida Naruhiro 放射線検出単結晶の製作とその基礎物性
河野研 9410201 和田 靖 wada yasushi 希土類による太陽電池の効率改善
河野研 9420012 上岡 賢明 Kamioka Masaaki CsI系超高エネルギーシンチレーターデバイスの製作と改
河野研 9630003 荒井 清孝 arai kiyotaka 蛍光増感型光電変換素子の作製と評価
河野研 9630008 石田 幸平 Ishida Kouhei VLSIデバイスプロセスによるSiO2の欠陥のESR
河野研 9630062 山田 晴穂 Yamada Haruo 希土類イオンを利用した太陽電池の効率変化
山口研 9410042 長 寿一 Osa Toshikaz 弾道電子放出顕微鏡の試作
山口研 9410072 斉藤 秀行 Saitou Hideyuki 分子線エピタキシ（ＭＢＥ）によるInAs量子ドットの積層成長
山口研 9410139 難波 孝善 Nanba Takayoshi ＳＴＭによるパルス印加実験
山口研 9410184 森本 倫弘 Morimoto Michihiro MBE選択成長によるマイクロ磁気センサの開発
山口研 9410185 安田 佳克 Yasuda Yoshikatu (411)InAs/GaAsの光学特性
山口研 9420001 新井 健次 Arai Kenji AFM/STM用AlGaAsマイクロプローブの作製
山口研 9630028 杉本 宝 Sugimoto Takara 修士論文研究の題目
山口研 9630046 平井 克典 Hirai Katsunori 超薄膜InAs歪量子井戸構造のMBE成長
山口研 9630047 日渡 冊人 Hiwatashi Fumito 分子線エピタキシによるInAs量子ドット構造の選択的自己組織化
中田研 9310009 石川 雅雄 Ishikawa Masao フッ化カルシウムにSrとEuをドープした結晶のESR研究
中田研 9310013 入江 誠隆 Irie Masataka SrF2:Gd,CaのESRの研究
中田研 9310034 奥納 正弘 Okuno Masahiro ITC法によるSrF2:Y3+の研究
中田研 9310130 平田 孝幸 Hirata Takayuki CaF2:LaのITC測定
中田研 9410144 野口 佳裕 9410144 Noguchi Yoshihiro Ca1-xSrxF2:Eu のITC
中田研 9410183 森本 浩史 Morimoto Hirohumi Ca1-xSrxF2:Sm のITC
中田研 9630005 有満 匡宏 Arimitsu Masahiro 電子スピン共鳴によるＢａＦ2中の複合体中心の研究
田中(勝)研 9310118 橋本 貴之 Hashimoto Takayuki レーザーアブレーション法によるCdWO4薄膜の作製と分析
田中（勝）研 9410006 有田 寿之貴 Arita Toshiyuki 飛行時間質量分析法によるCdWO4のレーザーアブレーションの研究
田中（勝）研 9630009 井田 大 Ida Masaru 飛行時間質量分析法によるCaWO4のレーザーアブレーションの研究
田中研 9410041 桶田 一成 Okeda Kazunari ゼオライトの薄膜作成と評価
田中研 9410048 加藤恭央 Katou Yasuo レーザーアブレーション法によるCaWO4薄膜の製作と分析
田中研 9410129 戸原 誠人 Tohara Makoto テフロン基盤上に、レーザーアブレーション法により堆積させたシリコン微
田中研 9410188 山来 雅弘 Yamaki Masahiro 光分解によるゼオライトへのSi微粒子の閉じ込め及びその
田中研 9410207 佐藤 京子 Sato Kyoko C60/ゼオライトの化学センサーへの応用
湯郷研 9210010 生田 浩史 Ikuta Hiroshi 針状基材へのダイヤモンド成長とプラズマの関係
湯郷研 9210170 山本 正道 Yamamoto Masamichi イオンビーム照射と熱フィラメント法を併用したダイヤモンドの核発生
湯郷研 9410079 佐野 潤一 Sano Junichi 高核密度ダイヤモンド均一膜の作製とプラズマの関係
湯郷研 9410104 曽根 崇史 Sone Takashi ダイヤモンド薄膜ヘの不純物添加の研究
湯郷研 9410125 坪井 崇 Tuboi Takashi アステックCVD装置によるSi上へのダイヤモンド薄膜のヘテロエピタキシャル成長
名取研 9310042 鎌田 丈良夫 Kamada Masurao Au微量蒸着下Si(1 1 1)面の表面エレクトロマイグレーション
名取研 9320034 森 豊 yutaka mori Au微量蒸着下Si(111)面の表面拡散
名取研 9410056 川辺 虎弘 Kwabe Torahiro Si(001)面上の欠損ダイマークラスタの安定性
名取研 9630037 戸田 健太郎 Toda Kentaro NaCl(001)面上、KClヘテロエピタキシャル成長
木村研 9310170 山根 直之 Yamane Naoyuki イオン注入による量子井戸構造(InGaAs/GaAs)の混晶化
木村研 9410019 井手 佐和 Sawa Ide PS中のErの発光とそのメカニズム
木村研 9410128 戸田 博之 Toda Hiroyuki Si 中への熱拡散法によるEr のドーピングとその発光に関する研究
木村研 9410204 楊 胤 Yang Yin 水素プラズマアニール処理によるPS中のNdの発光への評価
木村研 9630006 池田 典昭 Ikeda Noriaki pn接合型光化成多孔質シリコンLEDの諸特性(未定)
木村研 9630029 菅野仙子 Sugeno Hisako ポーラスシリコン中におけるNdイオンの蛍光寿命と発光メカニズム(未定)
木村研 9630031 高橋 雅也 Masaya Takahashi (GaAs)n(GaP)1原子層超格子構造を用いたAsとPの相互拡散の評価
木村研 9630034 棚谷公彦 tanaya kimihiko 原子層成長によるフィボナッチ超格子の作製
齋藤研 9410000 齋藤 理一郎 Saito Riichiro 世話人によるテスト
齋藤研 9410171 松尾 竜馬 Ryouma Matsuo 行列計算専用大規模集積回路の開発
齋藤研 9410211 グェン ドゥック ミン Nguyen Duc Minh ハードウェア記述言語にを用いた行列計算専用計算機の設計
齊藤研 9630033 竹谷 隆夫 Takao Takeya カーボンナノチューブのフォノン分散関係とラマン強度