+++ 電子工学科電子デバイス工学講座 +++
　　 >>> 1998 年卒業論文発表会 プログラム <<<

日時: 1998 年 2 月 16 日 (月) 9:00 より 17:00

場所: W2-101 及び 201 教室

集合: 8:50 発表する教室、出席点呼。

準備: 予稿を 50 部 (下記参照) 卒業論文 1 部持参

A: W2-101 会場 プログラム

A1: 9:00-10:30 (木村, 安永, 一色, 湯郷, 金山)

河野研 9310069 佐土 貴康 Sado Takayasu
　　　「 無反射膜に希土類をイオン注入した太陽電池の効率変化 」
河野研 9310113 西川　真樹 Masaki Nishikawa
　　　「 希土類イオン打ち込みによる太陽電池の高効率化 」
河野研 9410154 原 善之 Hara Yoshiyuki
　　　「 ESRによるLSIの欠陥評価 」
河野研 9410195 吉田 成宏 Yoshida Naruhiro
　　　「 希土類を含む超高エネルギー放射線検出単結晶CsIの成長
　　　　とその基礎物性 」
河野研 9410201 和田 靖 Wada Yasushi
　　　「 希土類イオンが太陽電池の効率に及ぼす影響 」
河野研 9420012 上岡 賢明 Kamioka Masaaki
　　　「 CsI系超高エネルギーシンチレーターデバイスの製作と改良 」

10:30-10:45 休憩

A2: 10:45-12:00 (河野, 奥山, 田中, 坂本, 金山)

齋藤研 9410171 松尾 竜馬 Ryouma Matsuo
　　　「 行列計算専用大規模集積回路の開発 」
齋藤研 9410211 グェン ドゥック ミン Nguyen Duc Minh
　　　「 ハードウェア記述言語を用いた行列計算専用プロセッサ
　　　　　　　の設計・開発 」
中田研 9310009 石川 雅雄 Ishikawa Masao
　　　「 Ca1-xSrxF2:Euの電子スピン共鳴 」
中田研 9310013 入江 誠隆 Irie Masataka
　　　「 SrF2;Gd,CaのESRの研究 」
中田研 9310034 奥納 正弘 Okuno Masahiro
　　　「 SrF2:Y3+におけるITCピークの濃度依存性 」

12:00-13:15 昼食休憩

A3: 13:15-15:00 (田中, 木村, 一色, 河野, 齋藤)

中田研 9310130 平田 孝幸 Hirata Takayuki
　　　「 CaF2:LaのITC測定 」
中田研 9410144 野口 佳裕 Noguchi Yoshihiro
　　　「 ITC法によるCa1-xSrxF2:EuのEuイオン濃度依存性について 」
中田研 9410183 森本 浩史 Morimoto Hirohumi
　　　「 Ca1-xSrxF2:SmのITCピークの評価 」
安永研 9320001 網田 正大 Amita Masahiro
　　　「 In蒸着によるSi(100)微斜面のファセット 」
安永研 9410078 佐藤 友紀 Satou Yuki
　　　「 探針電流によるSi表面の加工 」
安永研 9410111 高柳 雄一 Takayanagi Yuuichi
　　　「 電気伝導測定用探針の研究 」
安永研 9420010 金川 太一 Kanagawa Taichi
　　　「 原子間力顕微鏡真空高温ステージの製作 」

15:00-15:15 休憩

A4: 15:15-16:30 (名取, 山口, 中田, 田中, 金山)

木村研 9110012 石崎 実 Ishizaki Minoru
　　　「 イオン注入装置を利用したSi中のErの発光とその制御 」
木村研 9310170 山根 直之 Yamane Naoyuki
　　　「(GaAs)n(GaP)1原子層超格子構造を用いた
　　　　AsとPの相互拡散の評価」
木村研 9410019 井手 佐和 Sawa Ide
　　　「 PS中のErの発光とそのメカニズム 」
木村研 9410128 戸田 博之 Toda Hiroyuki
　　　「 Si中への熱拡散法によるErのドーピングとその発光位置 」
木村研 9410204 楊 胤 Yang Yin
　　　「 プラズマアニール処理したポーラスシリコン（PS）中の
　　　　　　　　　　　Ndのフォトルミネセンス（PL）への評価 」

B: W2-201 会場 プログラム

B1: 9:00-10:30 (奥山, 名取, 河野, 齋藤, 坂本)

山口研 9410042 長 寿一 Osa Toshikazu
　　　「 弾道電子放出顕微鏡の試作 」
山口研 9410072 斉藤 秀行 Saitou Hideyuki
　　　「 InAs量子ドット構造のMBE成長 」
山口研 9410139 難波 孝善 Nanba Takayoshi
　　　「 GaAs-走査型トンネル顕微鏡(STM)探針の電界蒸発効果 」
山口研 9410184 森本 倫弘 Morimoto Michihiro
　　　「 MBE成長によるInAs磁気抵抗探針の作製 」
山口研 9410185 安田 佳克 Yasuda Yoshikatsu
　　　「 InAs量子井戸構造のMBE成長とIn表面偏析効果の解析 」
山口研 9420001 新井 健次 arai kenji
　　　「 AFM/STM用AlGaAsマイクロプローブの作製 」

10:30-10:45 休憩

B2: 10:45-12:00 (中田, 齋藤, 山口, 一色, 湯郷)

名取研 9310042 鎌田 丈良夫 Kamada Masurao
　　　「 Au微量蒸着下Si(1 1 1)面の表面エレクトロマイグレーション 」
名取研 9320034 森 豊 Mori Yutaka
　　　「 Au微量蒸着下Si(111)面の表面拡散 」
名取研 9410056 川辺 虎弘 Kawabe Torahiro
　　　「 Si(001)面上の欠損ダイマークラスタの安定性 」
奥山研 9320010 勝川 広 Katukawa Hirosi
　　　「 プロセスガス分析法に関する調査研究 」
奥山研 9410196 吉永 規秀 Yosinaga Norihide
　　　「 窒素ド−プDLC薄膜の作製と特性評価 」

12:00-13:30 昼食休憩

B3: 13:30-15:00 (山口, 安永, 名取, 中田, 湯郷)

田中研 9310118 橋本 貴之 Hashimoto Takayuki
　　　「 レーザアブレーション法によるCdWO4薄膜作成と評価 」
田中研 9410006 有田 寿之貴 Arita Toshiyuki
　　　「 飛行時間質量分析法によるCdWO4の
　　　　　レーザーアブレーションの研究 」
田中研 9410041 桶田 一成 Okeda Kazunar
　　　「i レーザーアブレーション法によるゼオライト薄膜の作成と評価 」
田中研 9410048 加藤 恭央 Katou Yasuo
　　　「 レーザーアブレーション法によるCaWO4薄膜の作成と分析 」
田中研 9410129 戸原 誠人 Tohara Makoto
　　　「 テフロン基板上におけるシリコン及び
　　　　　　シリコンナイトライド微粒子の反応性 」
田中研 9410188 山来 雅弘 Yamaki Masahiro
　　　「 ゼオライトのスーパーケージへのフェニルシランの
　　　　　吸着及び光分解 」

15:00-15:15 休憩

B4: 15:15-16:45 (安永, 奥山, 木村, 坂本)

田中研 9410207 佐藤　京子 Sato Kyoko
　　　「 C60/ゼオライトの化学センサーへの応用 」
湯郷研 9210170 山本 正道 Yamamoto Masamiti
　　　「 イオンビーム照射と熱フィラメント法を併用した
　　　　　ダイヤモンド薄膜の研究 」
湯郷研 9210010 生田 浩史 Ikuta Hiroshi
　　　「 ダイヤモンド気相成長におけるバイアス電圧とプラズマの関係 」
湯郷研 9410079 佐野 潤一 Sano Junichi
　　　「 バイアス法によるダイヤモンド高密度薄膜成長の研究 」
湯郷研 9410104 曽根 崇史 Sone Takashi
　　　「 光電気化学分解電極としてのダイヤモンド薄膜の研究 」
湯郷研 9410125 坪井 崇 Tsuboi Takashi
　　　「 Astex型CVD装置におけるバイアス処理条件の最適化の研究 」

17:30-18:30 判定会議 (場所未定。懇親会はありません。)

当日は、木村齋藤研の 4 年生が W2-101, 湯郷研 の 4 年生が OHP を用意してください。片付けもよろしくお願いいたします。電球が 切れて中断しない用に OHP の 予備を電子工学科学科事務室から借 りておいてください。W2-101, 201 教室の OHP の鍵は西共通事務 室にあります。

交替 0.5 分 + 発表時間 10 分 + 質問 4.5 分 = 15 分

最初の交替 0.5 分を速やかに行えば、自分の発表時間に組み込むこ とができます。時間が限られているので、十分準備をしてください。

司会、タイマー係

発表の 2つ後 3 つ後 の人が行う。最後 の 2 人の分は最初に発表 した人が行う。
  1. 既に前の人が計測開始している。新しいタイマー係はタイマーを リセットしてはいけない。
  2. 司会は研究室名と名前のみ紹介する。題目の紹介は不要。
  3. 発表を交替時間中にはじめても ok そのまま計測続行。
  4. 計測開始 7 分後に 第 1 回 に予鈴
  5. 計測開始 9 分後に 第 2 回 に予鈴
  6. 計測開始 10.5 分後に終了の合図。(司会は終了を促す。発表時間を記録)
  7. 質問中もそのまま計測。15 分で終了。
  8. ロスタイムが無いように交替する前に次のスイッチをおしてから交替。
  9. タイマー係はそのまま司会をする。

予稿について 


1. 卒業論文予稿提出 当日 教室に 研究室単位に置く。

   B4 (印刷機を使用のこと)  1 部 デバイスの教官に提出。
                           50 部 教室におく。

    注意: 発表する教室にのみ置けば結構です。
          印刷機で印刷してホッチキスで止めて下さい。
          B4 をおる必要はありません。
    
   印刷機は学科事務室で無料で借りられます。前日は混むので
   余裕をもって使って下さい。様式は 2 段組 1 ページ または 2 ページ。
   図が多くてうまく収まらない場合にのみ 2 ページにすることができる。

   研究室でまとめて表紙にプログラムをつけて提出下さい。
   表紙は卒業論文にふさわしいものにして下さい。

2  卒業論文 (file に閉じて、表紙と背表紙を付けたもの)
   を審査用に 1 部用意。

   背表紙 は縦書きで

卒業論文: 「題目」 氏名 (1998)

でお書き下さい。 卒論の書き方(木村齋藤研版)に詳細があります。
rsaito@tube.ee.uec.ac.jp