%\documentclass[12pt]{article} 
%\usepackage{graphicx}\usepackage{multicol}\input pamph98.sty
%\begin{document}
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\begin{center}
{\LARGE 格子欠陥・ナノ構造物性グループ}\\
{Lattice Defect Physics Group}\\
{末澤 正志~教授$^*$~~~~米永 一郎~助教授}\\
{Mtchedlidze Teimuraz~助手~~~~今泉 吉明~助手}\\
{http://www.imr.tohoku.ac.jp/}\\
\rule{15.8cm}{0.3mm}
\end{center}

\vspace*{-0.4cm}
\begin{multicols}{2}
{\small 
結晶の特徴は原子が周期的に規則正しく配列していることであるが、我々が実際に手にする結晶は、多かれ少なかれサブナノスケールで原子配列の乱れを伴う特有な構造、即ち格子欠陥を含む。格子欠陥には点欠陥、転位、積層欠陥、析出物、それらが複合したナノ構造体等、多くのものがある。格子欠陥は結晶、特に半導体の性質を左右する。半導体の重要な物性、例えば電気伝導、発光などが構造に敏感なためである。半導体ではこれらの格子欠陥を有害として排除するにせよ、逆に新機能の源として有効に利用するにせよ、格子欠陥とつきあわねばならず、その性質と構造を解明することは非常に重要な課題である。

本研究グループは、Si、GaN、ZnSe等の最先端の半導体について、これらの格子欠陥を様々な方法によって、"性質を調べる"、"構造を見る"、"成因と発生の物理を明らかにする"、"構造を制御し、新しい物性として創成する"研究を行っている。

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１）格子欠陥の電気・光学的性質の解明：半導体中の格子欠陥の周囲では特有の電子状態が誘起される。半導体デバイスのポテンシャルを展開するためにはその特有な状態を電気・光学、発光学、電磁学的方法で測定し、原子構造と成因を解明し、さらに形成される過程を明らかにすることが必要である。それが新機能のナノ構造体を創成する基礎知識となる。フォトルミネッセンス、光吸収、電子スピン共鳴、ホール効果等の装置を用いて研究を行っている。

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\noindent
２） 転位の発生と運動の解明：線状欠陥である転位は半導体デバイスの性能を劣化させる原因と考えられ、転位の発生や活動の抑制が期待されている。そのためには転位の発生と運動に関して、個々の転位のミクロな運動と構造を観察し、他の欠陥の影響を含めた運動過程の物理を明らかにすることが必要である。実験装置は、転位の運動挙動を測定するインストロン型変形装置、個々の転位の運動を観察する超強力X線装置、電子顕微鏡等である。

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\noindent
３）格子欠陥の観察法の開発：サブナノスケールの格子欠陥の性質と構造を精確に測定し、観察するための原理と装置の開発を進める。

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\noindent
４）次世代半導体結晶の開発：現在の半導体を越えた、次世代の環境調和、省エネルギー半導体結晶を予測し、人工合成・育成し、さらに格子欠陥・ナノ構造体による新機能の創成を行う。

\vspace{0.3cm}
\noindent
尚、本年度博士前期課程を受験する大学院生のこのグループへの配属はできない。

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\noindent
\begin{center}
{\includegraphics*[width=7.5cm]{p27fig.eps}}\\
{\small GaAs中のZ型転位欠陥の原子スケール像}
\end{center}


}
\end{multicols}



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%\end{document}
