%\documentclass[12pt]{article} 
%\usepackage{graphicx}\usepackage{multicol}\input pamph98.sty
\input itemize.mcr
%\begin{document}
%------------------------------------------------------------------------------
\begin{center}
{\LARGE 結晶成長物理グループ}\\
{Crystal Growth Physics Group}\\
{中嶋 一雄 教授~~~~宇佐美 徳隆 助教授}\\
{佐崎 元 講師~~~~宇治原 徹 助手~~~~藤原 航三 助手}\\
{http://www.xtalphys.imr.tohoku.ac.jp/}\\
\rule{15.8cm}{0.3mm}
\end{center}

\vspace*{-0.4cm}
\begin{multicols}{2}
{\small 

クリーン・エネルギーの開発、次世代を担う電子産業基盤の構築、医薬品・食品などのバイオテクノロジーの展開といった21世紀の重要課題を解決する技術として、太陽電池に代表される光電変換素子、半導体レーザやULSIに代表される光・電子デバイス、タンパク質に代表される生体高分子の三次元構造解析があります。これらはすべて結晶を基礎としており、新しい物性や機能を有する結晶を創製できる成長技術の開発が課題解決の鍵を握っています。当研究室では、半導体結晶から有機結晶までを対象とし、実験と理論により結晶成長メカニズムを解明し、これらの結晶物理学に基づいて新しい結晶成長技術の開発と新結晶の創製を行うことを目指しています。このため、成長メカニズム解明の専用装置を考案し、これにより得られた知見に基づき、新しい結晶成長装置を考案・導入し、独自の結晶を成長するといった特徴ある研究を行っています。現在、主に以下の研究テーマに取り組んでいます。
\begin{enumerate}
\item 太陽電池用結晶の研究

・キャスト成長炉によるSi多結晶の結晶方位の整列、粒界性質の制御成長法の研究開発

・組成分布を有するSiGe多結晶やGeドット/Si構造の成長と高効率太陽電池への挑戦

・液相エピタキシャル成長法による太陽電池用低欠陥・高効率Si結晶薄膜の研究

\item 多元系バルク基板結晶の成長と，歪み制御ヘテロエピタキシャル構造の研究

・固液界面温度制御法＆フローティングゾーン法による均一組成のSiGeバルク単結晶の成長

・SiGeの歪み制御高品質エピタキシャル結晶の成長とヘテロ構造物性

\item  結晶成長メカニズムの研究

・in situ Si融液成長過程観察技術の開発及び成長初期メカニズムの解明

・SiC溶液成長におけるマイクロパイプ消滅メカニズム

\item 有機材料の結晶成長の研究

・基板改質法による有機半導体薄膜の高配向エピタキシャル結晶成長

・タンパク質の強磁場下での高品質単結晶育成とその結晶成長メカニズム

\end{enumerate}
}
\end{multicols}

\noindent
\begin{minipage}[t]{7.5cm}
\centerline{\includegraphics*[width=5.6cm]{p28figa.eps}}
{\small (a) Siパターン基板を利用したGeドットの一次元配列．}
\end{minipage}
\begin{minipage}[t]{7.5cm}
\centerline{\includegraphics*[width=7cm]{p28figb.eps}}
{\small (b) 融液成長しているSi結晶の界面形状のその場観察
}
\end{minipage}

%------------------------------------------------------------------------------
%\end{document}


