光照射などでエルビウム(Er)ドープシリコン(Si)中のSiにエネルギーを与え
ることにより、Erイオンの波長1.54umの発光が観測されます。これはErの間
接励起といって発光デバイスを作るときに非常に重要なエネルギー伝達メカ
ニズムです。つまり実際の発光デバイスでは「PN接合を作ってそこに電気的
エネルギーを与えErの発光を得る」という間接励起によるエネルギー伝達が
必要であるからです。しかし、ErドープSiは20K程の低温では発光するが、
温度が上がるにつれて発光が減少し、室温では観測できない程になってしま
います。室温で発光しなければ実用的ではありません。
![](excitation.gif)
これは現在Si中のErのもっとも有力な励起モデルです。Erを添加すること
によってSiバンド間にできたトラップ準位を介してErにエネルギーを
伝達するモデルです。