希土類ドープ方法とその装置
希土類ドープ方法とその装置
- 1、始めに
- 半導体(Si やGe)中にドープした希土類イオンの発行は、発行素子として光
ファイバ通信への応用が期待されている。Er を光ファイバにドープしたファイバ
レーザなどが研究されており、Erドープ光ファイバ増幅器はすでに実用化されている。
希土類のドープ方法にはイオン注入法、液相法、MBE法などさまざまな方法が
ある。本研究室では主にイオン注入装置や熱拡散法を用いる。
- 2、装置の概略図と説明
- イオン注入装置は希土類をイオン化し、電界によって加速して打ち込む方法である。ドープの深さ、広がりを制御できる。
イオン注入装置の概略図
- 熱拡散法は、熱を加えて母材に希土類を拡散させてドープする。希土類が安定に存在でき、鋭いスペクトルが得られる。
熱拡散装置の概略図
- Photo Luminescense は
Photo Luminescence 装置の概略図
- 3、将来
- 本研究室では母材中の希土類の発光メカニズムを追求し、希土類発光の狭線化・高発光効率化・熱的安定性を考え、Si ベースによる小型で信頼性の高い半導体発光デバイスを目指す。
hattori@tube.ee.uec.ac.jp
miyake@tube.ee.uec.ac.jp