2007 年度の受講者への連絡事項†

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課題の宣言(2007年度分)†

（例）齋藤（学籍番号）は、課題１−１を　10/24までに行います。（宣言日10/10）（終 課題1-2   10/18宣言  11/ 1 第１回提出 11/15 最終提出
了日11/11）
以下ここに記入してください。課題の状況にも記入がないと無効とします。
林 勁 （A5SB2119）は、課題4-12 を12/18 までに行います。（宣言日12/03）（最終提出12/04）
済木　健太 （A3SB2051）は、課題6-6 を12/20 までに行います。(宣言日12/06)
林 勁 （A5SB2119）は、課題6-1 を12/20 までに行います。（宣言日12/06）（最終提出12/11）
林 勁 （A5SB2119）は、課題6-14 を12/25 までに行います。（宣言日12/11）
駒形 将吾(A5SB2051)は、課題7-1を12/26までに行います。(宣言日12/12)
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課題の状況(2007年度分）†

(例)課題1-1　 10/11宣言、10/22 第１回提出、10/23 第２回提出、11/22 最終提出
以下ここに記入してください。最新の提出記録から２週間たっているものは無効
課題4-12 　12/03 宣言　12/04 最終提出
課題6-6　　12/06 宣言　
課題6-1　　12/06 宣言　12/11 最終提出
課題6-14　 12/06 宣言
課題7-1      12/12 宣言
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誤植の報告（2007年度分）†

(例）学籍番号　齋藤理一郎　chap1.pdf p.20 6行目(教科書の頁, pdf の頁でない）10/24 報告　OK (齋藤がつけます)
(誤） 運動エネルギーが、hbar^2/2m Delta 
(正)　運動エネルギーが、-hbar^2/2m Delta (マイナスが付く）
a5sb2119　林 勁　12/06　報告
【解答済(受理済)課題について】
『演習(問題別 tex file)』には Q3-1; Q3-2; Q5-9; Q5-13; Q6-6; Q6-8; Q6-13 が含まれておりませんが、『演習(提出分全部) (pdf file)』には含まれているので、おそらく前者項目への記入漏れだと思われます。
a5sb2119　林 勁　11/25　報告

chap1.pdf　p3　4行目の見出し　[誤植]
(誤)　1.2 格子と逆格子:
(正)　1.2 格子と逆格子

chap1.pdf　p3　補足*1)　[文法構造不正]
(誤)　物理数学でフーリエ変換を勉強した人は、ちょうど格子と逆格子はフーリエ変換と逆変換でつながっている座標系に相当する。
(正)　格子の座標系と逆格子の座標系の関係は、物理数学で勉強した、フーリエ変換や逆変換を施した前後の、被変換対象の関係に相当する。

chap1.pdf　p4　下から3行目　[誤植]
(誤)　ここで重要な1のは、
(正)　ここで重要なのは、

chap1.pdf　p4　補足*3)　[誤事実/文法構造不正]
(誤)　これは丁度その窓が日光の反射光の向きに向いているからである。似たような現象は、日常生活では多く、そのたびにデバイ・シェラー法という言葉が思い出される。
(正)　これは窓から目への方向が、窓で反射される日光の反射方向と、丁度一致するからである。日常生活で、似たような多くの現象に出合うが、そのたびにデバイ・シェラー法という言葉が思い出される。

chap1.pdf　p6　下から8行目　[誤植]
(誤)　(B)14個のブラベー格子子
(正)　(B)14個のブラベー格子

chap1.pdf　p9　図1.7及びそれに対する説明　[誤植]
(誤)　r
(正)　r~

chap1.pdf　p9　3行目　[誤植]
(誤)　k_{in}-k_{out}
(正)　k_{out}-k_{in}

chap1.pdf　p10　補足*1)　[誤植]
(誤)　(x->-x,y->-y,z->-zとする操作に対して対象であること)
(正)　(x->-x,y->-y,z->-zとする操作に対して対称的であること)

chap1.pdf　p11　3行目　[文法構造不正]
(誤)　この8個の点を式(1.13)に代入すると、Siの原子構造因子をf_{S_i}とおくと
(正1)　この8個の点を式(1.13)に代入すると、Siの原子構造因子をf_{S_i}として
(正2)　この8個の点を式(1.13)に代入して、Siの原子構造因子をf_{S_i}とおくと

chap1.pdf　p11　補足*1)　[文法構造不正]
(誤)　X線の散乱強度は絶対値の2乗であるので実数になるので問題ない。
(正1)　X線の散乱強度は絶対値の2乗であるので、実数になるため問題ない。
(正2)　X線の散乱強度は絶対値の2乗であるため、実数になるので問題ない。
(注意)　「補足*2)」が「補足*1)」より前にあること。他のページでも同様な例あり。

chap1.pdf　p12　11行目(1.19)式　[誤植]
(誤)　1+exp{iPI(l+m+n)/2}
(正)　f_{G_a}+f_{A_s}exp{iPI(l+m+n)/2}
(注意)　3行上に無駄な改行あり。

chap1.pdf　p13　1行目　[文法構造不正]
(誤)　ポテンシャルを簡単に、n(r)=exp{-ur}/rの様な湯川型ポテンシャルを仮定すると積分を実行することができ
(正1)　ポテンシャルを簡単のため、n(r)=exp{-ur}/rの様な湯川型ポテンシャルであると仮定すると、積分を実行することができ
(正2)　ポテンシャルを、n(r)=exp{-ur}/rの様な簡単な湯川型ポテンシャルであると仮定すると、積分を実行することができ
(注意)　同一頁に「補足*1)」が二つあり。

chap1.pdf　p13　下から7行目　[文法構造不正]
(誤)　電子線は、軽く加速も容易であるが
(正1)　電子線は、質量が軽く、加速も容易であるが
(正2)　電子線は軽く、加速も容易であるが
 a5sb2040　櫛引駿介 chap1.pdf p.11 (1.14)式 12/12報告
(誤）S_G = f_si{1 + e^(iπ(l+m)) + e^(iπ(l+n)) + e^(iπ(m+n)) + e^(iπ(l+m+n)/2)
            +e^(iπ(3l+3m+n)/2)e^(iπ(3l+m+3n)/2) + e^(iπ(l+3m+3n)/2)}
(正) S_G = f_si{1 + e^(iπ(l+m)) + e^(iπ(l+n)) + e^(iπ(m+n)) + e^(iπ(l+m+n)/2)
            +e^(iπ(3l+3m+n)/2) + e^(iπ(3l+m+3n)/2) + e^(iπ(l+3m+3n)/2)}

　a5sb2124 富永祐　chap1.pdf p.11 最終行 11/23 報告　

(誤） 散乱角２θは式(1.3)より 
(正)　散乱角２θは式(1.1)より 
 a5sb2052 昆野修士　chap2.pdf p.18  6行目　11/27報告
左端に無駄な一字空けあり。
 a5sb2052 昆野修士　chap2.pdf p.18  8行目　11/27報告
(誤)励起するることができない 
(正)励起することができない
 a5sb2052 昆野修士　chap2.pdf p.20  下から4行目及びchap2.pdf p.21  2行目 11/27報告
語句の不統一。
p20ではシュレヂィンガー方程式
p21ではシュレヂンガー方程式 

a5sb2119　林 勁　11/27　報告

chap2.pdf　p21　下から3行目(2.6)式　[誤植]
(誤)　H(r) = h^2Δ/(2m) + V(r)
(正)　H(r) = - h^2Δ/(2m) + V(r)

chap2.pdf　p22　補足*1)　[誤植]
(誤)　、exp{i(k+G)r}
(正)　exp{i(k+G)r}

chap2.pdf　p24　前頁からの補足*3)　[文法構造不正]
(誤)　内側の軌道の計算を無視して、結合に関する軌道だけを精度良く計算する手法である。
(正)　擬ポテンシャル法は、内側の軌道の計算を無視して、結合に関する軌道だけを精度良く計算する手法である。

chap2.pdf　p24　補足*2)　[文法構造不正]
(誤)　C_iを定数に扱うことができる
(正)　C_iを定数として扱うことができる

chap2.pdf　p25　3行目　[誤植]
(誤)　求めることができる*3)
(正)　求めることができる。*3)
 
chap2.pdf　p25　下から2行目(2.15)式　[誤植]
(誤)　< ψ(r-R') |H| ψ(r-R') >
(正)　< ψ(r-R') |H| ψ(r-R) >
 
chap2.pdf　p25　下から1行目(2.15)式　[誤植]
(誤)　< ψ(r-R') | ψ(r-R') >
(正)　< ψ(r-R') | ψ(r-R) >
 
chap2.pdf　p26　1行目　[誤植]
(誤)　< ψ(r-R') |H| ψ(r-R') >
(正)　< ψ(r-R') |H| ψ(r-R) >
 
chap2.pdf　p26　2行目(2.15)式　[誤植]
(誤)　< ψ(r-R') | ψ(r-R') >
(正)　< ψ(r-R') | ψ(r-R) >
 
chap2.pdf　p27　4行目　[誤植]
(誤)　単位胞に2つ以上の原子がある場合にや、
(正)　単位胞に2つ以上の原子がある場合や、

chap2.pdf　p28　5行目　[誤植]
(誤)　存在する状態の数dNとするとき
(正)　存在する状態の数をdNとするとき

chap2.pdf　p28　6行目　[文法構造不正]
(誤)　D(E)の単位は、状態数/エネルギーであるが一つのエネルギーバンドをエネルギーバンド幅で積分したときに、2になるような状態数の定義を使うのが普通である。
(正)　D(E)の単位は、状態数/エネルギーである。状態数は、一つのエネルギーバンドをエネルギーバンド幅で積分したときに、2になるように定義するのが普通である。

chap2.pdf　p28　下から5行目(2.23)式　[誤事実]
(誤)　dN/dE = L/π (2tSin(ka))^{-1} = L/π ((2t)^2 - E^2)^{-1}
(正)　dN/dE = L/π (-2atSin(ka))^{-1} = - L/{aπ} ((2t)^2 - E^2)^{-1/2}

chap2.pdf　p28　補足*1)　[誤植]
(誤)　長さLでの波の波長λがおよそL/p(pは整数)で与えられる。
(正)　長さLでの波の波長λはおよそL/p(pは整数)で与えられる。
 a4sb2012 岩崎恵介　chap3.pdf p.35  10行目　11/27報告
(誤) x_l±1 = exp±ikpx_l
(正) x_l±1 = exp(±ikp)x_l   (カッコ抜け)

　a5sb2124 富永祐　chap3.pdf p.35　10行目 11/23 報告　

(誤） を模用いると
(正)　を用いると　（前の式も誤植）

　a5sb2124 富永祐　chap3.pdf p.39 11/23 報告　

(誤） kx 2/2
(正)　kx^2/2 (誤植) 
a5sb2119　林 勁　11/27　報告

chap3.pdf　p36　下から3行目　[文法構造不正]
(誤)　辺々をひくということで
(正)　辺々をひくことで

chap3.pdf　p37　11行目　[文法構造不正]
(誤)　また光学フォノンはイオンが + と - に交互に並んでいる物質に光(電場)が加わると + と - のイオンで逆方向の力を受けて振動がおこることに起因している。
(正)　また光学フォノンは、+ イオンと - イオンが交互に並んでいる物質に光(電場)が加わって、+ と - のイオンが逆方向の力を受けて振動することに起因している。

chap3.pdf　p39　4行目　[誤植/文法構造不正]
(誤)　x^3やx4の項は0ではないこれを振動の非調和性という。
(正)　x^3やx^4の項は0ではない。これを振動の非調和性という。

chap3.pdf　p39　下から4行目　[誤植]
(誤)　フォノンノン
(正)　フォノン
(注意)　当単語を含む一文は[文法構造不正]にも当たる。但し、文の意味の完全理解に達することができなかったので、訂正しませんでした。

chap3.pdf　p39　下から2行目　[誤植]
(誤)　フォノンフォノン相互作用
(正)　フォノン-フォノン相互作用

chap3.pdf　p40　11行目　[誤植]
(誤)　量子かされた最小の励起を素励起と呼ぶ。
(正)　量子化された最小の励起を素励起と呼ぶ。

chap3.pdf　p40　15行目　[誤植]
(誤)　hk^2 /2M が物質中で散乱されて
(正)　h(k_i)^2 /2M が物質中で散乱されて

chap3.pdf　p40　下から3行目　[誤植/文法構造不正]
(誤)　中性子散乱が、フォノンのエネルギーを測定に適している理由は、ドブロイ波長が原子間隔程度の中性子は、室温程度のエネルギーだからである*3)
(正)　中性子散乱が、フォノンのエネルギーを測定するのに適している理由は、ドブロイ波長が原子間隔程度の中性子の持つエネルギーが、室温程度だからである。*3)

chap3.pdf　p40　一つ目の補足*2)の2行目　[誤植]
(誤)　熱電導率
(正)　熱伝導率

chap3.pdf　p40　二つ目の補足*2)の2行目　[誤植]
(誤)　電子正孔対の素励起であるエキシトン,さらにはポラリトン,ポーラロン,と様々な複合素励起が存在する。
(正)　電子正孔対の素励起であるエキシトン,さらにはポラリトン,ポーラロンと、様々な複合素励起が存在する。

chap3.pdf　p41　下から2行目　[文法構造不正]
(誤)　中性子は,電荷がないので物質中では比較的散乱しにくいので,原子との衝突を測定するのに有利であるが,中性子源が特殊であるということと,電荷がないのでエネルギーや運動量を調節するには特殊な技術が必要になる。
(正1)　中性子は電荷がなく,物質中では比較的散乱しにくいので,原子との衝突を測定するのに有利である。しかし,中性子源が特殊であるということと,電荷がないということから,そのエネルギーや運動量の調節には特殊な技術が必要である。
(正2)　中性子は電荷がないので,物質中では比較的散乱しにくく,原子との衝突を測定するのに有利である。しかし,中性子源が特殊であるということと,電荷がないということから,そのエネルギーや運動量の調節には特殊な技術が必要である。
(注意)　全7章にわたって、「,」と「、」の使用基準非統一が見られます。

chap3.pdf　p41　前頁補足*3)の続きの下から2行目　[誤植]
(誤)　中性子線は、室温程度のエネルギーで原子間隔程度の波長をもっている。
(正)　中性子線は、室温程度のエネルギーと原子間隔程度の波長をもっている。

chap3.pdf　p41　補足*1)1行目　[誤植/文法構造不正]
(誤)　シンクロトロンは,電子の相対論的質量の変化を考慮した加速機で電子をほぼ円周上を加速する装置である。
(正)　シンクロトロンは,電子の相対論的質量の変化を考慮した加速器で,電子をほぼ円周上で加速する装置である。

chap3.pdf　p41　補足*1)2行目　[文法構造不正]
(誤)　電子の軌道を強力な磁石で曲げると,軌道の接線方向に強い X 線を放射する。
(正)　電子の軌道を強力な磁石で曲げると,電子は軌道の接線方向に強い X 線を放射する。
 a5sb2052 昆野修士　chap3.pdf p.40  12行目　11/28報告
括弧抜け
(誤)エネルギーhk^2/2Mが
(正)エネルギーhk^2/2M)が
 a4sb2012 岩崎恵介　chap3.pdf p.40  1行目　11/30報告
(誤)行われるようになってきた(日本では、
(正)行われるようになってきた。日本では、
 a5sb2052 昆野修士　chap4.pdf p.52  9行目　11/27報告
(誤)2を書ければ
(正)2を掛ければ
 a5sb2101 本多良太郎　Q.pdf p.17  8行目　式(2-6-8)　11/28報告
演習問題の解答の誤植です。
教科書の誤植ではないのですが、念のため報告しておきます。
(誤)H(k)=
(正)E(k)=
 a5sb2101 本多良太郎　Q.pdf p.28  3行目　式(3-2-1)　11/28報告
これも演習問題の解答の誤植です。
(誤)-K{x_(l)-y_(l-1)}-K{x_(l)-y_(l-1)}
(正)-K{x_(l)-y_(l)}-K{x_(l)-y_(l-1)}
 a5sb2101 本多良太郎　Q.pdf p.48  8行目　式(4-5-1)　11/28報告
これも演習問題の解答の誤植です。
(誤)E_F=h*{k_(F)}^2/(2*m)
(正)E_F=h^2*{k_(F)}^2/(2*m)
a5sb2119　林 勁　11/28　報告

chap4.pdf　p45　下から3行目　[誤植]
(誤)　このことをこの章では示す。
(正)　このことをこの章で示す。

chap4.pdf　p46　下から3行目　[誤植]
(誤)　I属のアルカリ金属
(正)　I族のアルカリ金属

chap4.pdf　p46　下から2行目　[誤植]
(誤)　金属になる*3)I属とIIV属
(正)　金属になる。*3)I族とII族

chap4.pdf　p46　一つ目の補足*2)の1行目　[誤植]
(誤)　同じ状態に1つの粒子か入ることができない粒子を
(正)　同じ状態に1つの粒子しか入ることができない粒子を、

chap4.pdf　p46　一つ目の補足*2)の3行目　[誤植]
(誤)　統計とスピンの大きさには関係があり、
(正)　統計とスピンの大きさには関連性があり、

chap4.pdf　p46　補足*3)　[誤植]
(誤)　通常の空気中に置くと発火するほど反応性が高いので金属として使われることはない。
(正)　通常の空気中に置くと発火するほど反応性が高いので、金属単体で使われることはない。

chap4.pdf　p47　図4.1の説明の1行目　[誤植]
(誤)　2つのエネルギーバンドが重なり、電子が低いエネルギーバンドにすべて占有する(太い線)前に高いエネルギーバンドに占有した状態。
(正)　2つのエネルギーバンドが重なり、電子が低いエネルギーバンドをすべて占有する(太い線)前に、高いエネルギーバンドを占有した状態。

chap4.pdf　p47　1行目　[誤植]
(誤)　III属(B,Al,Ga)は金属、IV属(Si,Ge)は半導体の性質を示す。
(正)　III族(B,Al,Ga)は金属、IV族(Si,Ge)は半導体の性質を示す。

chap4.pdf　p47　2行目　[誤植/文法構造不正]
(誤)　しかしII属である、アルカリ土類金属(Be,Mg,Ca)は各原子にs電子が2個あり一つのエネルギーバンドに占有するとなると半導体か絶縁体になりそうであるが、そうならない。
(正)　しかしII族である、アルカリ土類金属(Be,Mg,Ca)は、各原子にs電子が2個あり、これらの電子が同一のエネルギーバンドを占有するとなると、アルカリ土類金属は半導体か絶縁体になりそうだが、そうはならない。

chap4.pdf　p47　6行目　[文法構造不正]
(誤)　したがって価電子帯に電子がすべて満たされる前に、伝導帯にも電子が占有される。
(正)　したがって価電子帯が電子ですべて満たされる前に、電子は伝導帯をも占有している。

chap4.pdf　p47　7行目　[文法構造不正]
(誤)　この場合、価電子帯と伝導帯の両方に励起な容易な電子が存在する。
(正)　この場合、価電子帯と伝導帯の両方に、励起しやすい電子が存在する。

chap4.pdf　p47　下から7行目　[文法構造不正]
(誤)　電子は、エネルギーバンドのどこにいるかで実効的な重さが異なり、次にのべる有効質量という概念が重要である。
(正)　電子は、エネルギーバンドのどこにいるかで、実効的な重さが異なり、このことは次に述べる有効質量という概念において重要である。

chap4.pdf　p48　下から4行目　[文意不明瞭/誤事実]
(誤)　泡は上がると我々は見るのであるが、泡の部分で水が下がっているわけである。水で満たされているときの泡は泡が動くと考えた方が視覚的でわかりやすい。
(正)　水中で泡が上昇していると我々には見えるが、実際は泡のすぐ上と横にある水が、泡の下に落ちているのである。しかし、水の中にある泡を見るときは、水が動いていると捉えるよりも、泡が動いていると捉えた方が、視覚的でわかりやすい。

chap4.pdf　p49　2行目　[文法構造不正]
(誤)　ホールのある場所は電子がすべてつまっているときよりも、+e(>0)の電荷をもち、質量を絶対値をとって正にすれば、電場をかけたときにホールは電子と反対方向に動く。
(正)　ホールのある場所は電子でつまっているときよりも、+e(>0)の電荷を持つ。ホールの質量を絶対値とって正にすれば、電場をかけたときにホールは電子と反対方向に動く。

chap4.pdf　p49　11行目　[誤植]
(誤)　p型半導体のキャリヤーは電子であるである。
(正)　n型半導体のキャリヤーは電子である。

chap4.pdf　p49　下から2行目　[文法構造不正]
(誤)　電子は自由に動けるといっても、エネルギーバンドの底からつまった状態*1)であるので、金属中では動けるものは、もっともエネルギーの高い部分だけであり、占有する最も高いエネルギーのことをフェルミエネルギー、以下EFと呼ぶ*2)。
(正)　電子は自由に動けるといっても、エネルギーバンドは底からつまった状態*1)であるので、金属中で動ける電子は、もっともエネルギーの高い部分のものだけであり、それらが占有する最も高いエネルギーのことをフェルミエネルギー、以下EFと呼ぶ*2)。

chap4.pdf　p49　補足*1)の2行目　[誤植]
(誤)　期待
(正)　気体

chap4.pdf　p50　4行目　[文法構造不正]
(誤)　それ以下のエネルギーでは、励起した先にすでに電子がつまっているので、パウリの原理*3)。
(正)　それ以下のエネルギーでは、励起した先にすでに電子がつまっているので、パウリの原理より、励起は起こりえない*3)。

chap4.pdf　p50　5行目　[文意不明瞭]
(誤)　このような状況では、電子は温度Tを持つときにはフェルミ分布関数f(E)に従う(図(4.4)(a))。
(正)　このような状況で、温度がTのとき、電子はフェルミ分布関数f(E)に従う(図(4.4)(a))。

chap4.pdf　p50　下から1行目　[誤植]
(誤)　ここでk_Bはボルツマン定数*1)μは化学ポテンシャル
(正)　ここでk_Bはボルツマン定数*1)、μは化学ポテンシャル

chap4.pdf　p50　補足*1)　[誤植]
(誤)　フェルミ統計に従う電子は、同じ状態(スピン自由度も含む)に1つしか占有できないことをパウリの原理という
(正)　フェルミ統計に従う電子は、同じ状態(スピン自由度も含む)を、1つしか占有できないことをパウリの原理という。

chap4.pdf　p51　5行目　[文法構造不正]
(誤)　有効質量の大きさが正のフェルミ面を簡単に電子面と呼び負のフェミル面をホール面と呼び、それぞれ大きさによって、電子的、ホール的、半金属的な電気伝導をすることがわかる。
(正)　有効質量の大きさが正のフェルミ面を、簡単のため電子面と呼び、負のフェミル面をホール面と呼ぶ。それぞれのフェミル面が、大きさによって、電子的、ホール的、半金属的な電気伝導をする。

chap4.pdf　p51　一つ目の補足*2)の1行目　[文法構造不正]
(誤)　日常生活では『持ち込み料』に概念が似ている。
(正)　日常生活での『持ち込み料』の概念に似ている。

chap4.pdf　p51　一つ目の補足*2)の末行　[誤植]
(誤)　が以下の議論ではこの補正は考慮しない。
(正)　が、以下の議論ではこの補正は考慮しない。

chap4.pdf　p52　8行目　[誤植]
(誤)　(2π/L)^3で割れば、状態の個数である。
(正)　(2π/L)^3で割れば、状態の個数になる。

chap4.pdf　p52　12行目　[文法構造不正]
(誤)　以下N単位体積あたりの状態数で定義することにする。
(正)　以下では、Nを単位体積あたりの状態数として定義する。
(注意)　本頁最終行では、無駄な改行が行われている。

chap4.pdf　p53　補足*1)　[誤植]
(誤)　^{1}2C
(正)　^{12}C

chap4.pdf　p53　補足*1)の1行目　[誤植]
(誤)　治まる
(正)　収まる

chap4.pdf　p53　補足*1)の2行目　[文法構造不正]
(誤)　まず金属での常識的な値を知っているのが良い。
(正)　まず金属の常識的な値を知っておくのが良い。

chap4.pdf　p54　3行目(4.7)式　[誤植]
(誤)　dR
(正)　dE

chap4.pdf　p54　9行目　[文法構造不正]
(誤)　パウリの原理により、同じ状態に2つ以上の電子を占有することができないため絶対0度でも自由電子は動き回っている。
(正)　パウリの原理により、同じ状態を2つ以上の電子が同時に占有することはできない、そのため絶対0度でも自由電子は動き回っている。

chap4.pdf　p55　2行目　[誤植]
(誤)　N/V = [(k_F)^3]/[3π^2] .
(正)　N/V = [(k_F)^3]/[3π^2] ,

chap4.pdf　p55　下から4行目　[誤植]
(誤)　ここで p ∝ V^(-2/3) であるから
(正)　ここで p ∝ V^(-5/3) であるから

chap4.pdf　p56　下から6行目(4.15)式の二つの等号の間　[誤植]
(誤)　[(3π^2) V/N]^(1/3)
(正)　[(3π^2) N/V]^(1/3)

chap4.pdf　p57　8行目　[誤解を生ずる表現]
(誤)　プランクの定数
(正1)　ディラック定数
(正2)　有理化されたプランク定数

chap4.pdf　p58　3行目(4.18)式　[誤植]
(誤)　e/T/L
(正)　eT/L

chap4.pdf　p58　6行目　[文法構造不正]
(誤)　このように、原子単位の採用は、計算の便法以外にも物理量の量子性を調べるときに重要な概念であることがわかる。
(正)　このように原子単位は、計算の便法である上、物理量の量子性を調べるときの重要な概念でもある。

chap4.pdf　p58　11行目　[文法構造不正]
(誤)　すき焼きなど、肉を焼くときは厚い鉄板を使った方がおいしい。
(正)　すき焼きなどのとき、肉は厚い鉄板を使って焼いた方がおいしい。

chap4.pdf　p59　最終行　[誤植]
(誤)　物理の大学院の入試の面接で合格点である*3)。
(正)　物理の大学院の入試の面接で合格点が出る*3)。

chap4.pdf　p59　補足*1)の2行目　[誤植]
(誤)　	書けて
(正)　掛けて

chap4.pdf　p59　補足*2)の下から2行目　[誤植]
(誤)　15
(正)　15%

chap4.pdf　p60　3行目　[誤植]
(誤)　磁場Bを書けると
(正)　磁場Bを掛けると

chap4.pdf　p60　4行目　[文法構造不正]
(誤)　(磁気モーメントの向き磁場にそろっている方がエネルギーが下がる。)
(正)　(磁気モーメントの向きと磁場の向きが、そろっている方がエネルギーは下がる。)

chap4.pdf　p60　最初の補足*1)の1行目　[用語不適切]
(誤)　思わぬボロがでないように、十分理解していることが大事である。
(正)　思わぬボロがでないように、十分理解していることが必要である。

chap4.pdf　p61　図4.10の1行目　[誤植/文法構造不正]
(誤)　操作トンネル顕微鏡の模式図。原子面を先の尖ったチップをなぞることでトンネル電流の大小を検出する。
(正)　走査トンネル顕微鏡の模式図。原子面を先の尖ったチップでなぞることにより、トンネル電流の大小を検出する。

chap4.pdf　p61　4行目　[用語不適切]
(誤)　金属の物性を記述するために、自由電子模型でも観測値に近い値が出たのは、
(正)　金属の物性を記述する際に、自由電子模型でも観測値に近い値が出たのは、

chap4.pdf　p61　下から2行目　[誤植]
(誤)　操作トンネル分光
(正)　走査トンネル分光

chap4.pdf　p61　前頁補足の続きの1行目　[文法構造不正]
(誤)　パウリの常磁性は十分長い時間のあとに定常的に観測した結果である違いに注意したい。
(正)　パウリの常磁性は十分長い時間のあとに、定常的に観測した結果である。その両者の違いに注意したい。

chap4.pdf　p61　前頁補足の続きの下から3行目　[誤植]
(誤)　パウリの状磁性
(正)　パウリの常磁性

chap4.pdf　p62　2行目　[文法構造不正]
(誤)　その距離をプロットする(または高さを一定にして、電流値を測定する)
(正)　その距離をプロットする(または高さを一定にして、電流値をプロットする)

chap4.pdf　p62　3行目　[誤植/文脈的文法構造不正]
(誤)　これを操作トンネル顕微鏡(STM*2))である
(正)　このような装置が走査トンネル顕微鏡(STM*2))である

chap4.pdf　p62　下から5行目　[文法構造不正]
(誤)　STS/STMの実験では、電流が流れないといけないので金属か半導体に限られる。
(正)　STS/STMの実験では、電流が流れないといけないので、測定対象は金属か半導体に限られる。

chap4.pdf　p62　下から2行目　[用語不適切]
(誤)　派生する測定技術は多い。
(正)　派生した測定技術は多い。

chap4.pdf　p62　下から2行目　[文法構造不正/誤植]
(誤)　それらを総称して操作プロープ顕微鏡(SPM*6))と呼ぶ。
(正)　それらを走査プロープ顕微鏡(SPM*6))と総称する。

chap4.pdf　p62　最終行　[用語不適切]
(誤)　ナノサイエンスにとっては、極めて有力で比較的簡便な実験方法であり広く用いられている。
(正)　ナノサイエンスにおいては、極めて有力で、かつ簡便な実験方法として、広く用いられている。



a5sb2040　櫛引駿介 chap4.pdf　p46　下から2行目　[誤植] 12/12　報告
(誤)　I属とIIV属
(正)　I族と�将斬� 
a5sb2119　林 勁　12/2　報告

chap5.pdf　p66　5行目　[誤植]
(誤)　良く使うことが多い。
(正)　よく使うことがある。

 chap5.pdf　p12　末行　[誤植]
(誤)　またスピンとは電子が固有に持っている角運動量でその大きさがh/2である。
(正)　またスピンとは電子が固有に持っている角運動量で、その大きさはh/2である。

chap5.pdf　p66　補足*3)　[誤植]
(誤)　電磁気学でも、
(正)　電磁気学では、

chap5.pdf　p67　表5.1の説明文の1行目　[誤植]
(誤)　外部磁場がないと磁化が発生しないものを必要と書いた。
(正)　外部磁場がないと磁化が発生しないものを"必要"と書いた。

chap5.pdf　p67　4行目　[誤植]
(誤)　表??に磁性をまとめてみた。
(正)　表5.1に磁性をまとめてみた。

chap5.pdf　p67　下から4行目(5.1)式　[誤植<(5.2)式に矛盾>]
(誤)　-gu_BJ
(正)　gu_BJ

chap5.pdf　p67　下から3行目　[文意不明瞭]
(誤)　uを電子1個の磁気モーメントu_Bの何倍であるかと考えたときのJの値を除いた部分をgと書き、g因子と呼ぶ。
(正)　uとgu_BJの比例係数をgとし、その名をg因子と呼ぶ。

chap5.pdf　p68　1行目　[誤植]
(誤)　g=2である*1)
(正)　g=2である*1)。

chap5.pdf　p68　4行目　[文法構造不正]
(誤)　m_Jは全角運動量Jのz成分であり、2J+1個の量子状態である。
(正)　m_Jは全角運動量Jのz成分であり、2J+1個の量子状態を持つ。

chap5.pdf　p68　6行目　[誤植]
(誤)　熱平衡状態ではカノニカル分布に従う*1)
(正)　熱平衡状態ではカノニカル分布に従う*1)。

chap5.pdf　p68　7行目　[誤植]
(誤)　exp(-E/k_{rmB}T)
(正)　exp(-E/k_{B}T)

chap5.pdf　p68　下から5行目　[文脈的誤植]
(誤)　sum_{m_J=-J}^{J}e^{am_J}
(正)　Z = sum_{m_J=-J}^{J}e^{am_J}

chap5.pdf　p68　下から4行目　[誤植]
(誤)　[e^{-a/2}(e^{-a(J+1/2)}-e^{a(J+1/2)})] / [e^{-a/2}(e^{-a/2}-e^{a/2})]
(正)　[-e^{a/2}(e^{-a(J+1/2)}-e^{a(J+1/2)})] / [-e^{a/2}(e^{-a/2}-e^{a/2})]

chap5.pdf　p68　下から2行目　[文法構造不正]
(誤)　表される
(正)　表せる

chap5.pdf　p68　補足*2)の1行目　[誤植]
(誤)　S=a(1+r+r^2+・+r^{n-1}から
(正)　S=a(1+r+r^2+…+r^{n-1})から

chap5.pdf　p68　補足*3)の1行目　[誤植]
(誤)　e^{-a/2}をかける
(正)　-e^{a/2}を割る

chap5.pdf　p68　補足*3)の2行目　[誤植]
(誤)　cos{x}
(正)　cosh{x}

chap5.pdf　p68　補足*3)の3行目　[誤植]
(誤)　isinh{ix} = sin{x}
(正)　isinh{ix} = -sin{x}

chap5.pdf　p69　2行目　[誤植]
(注意)　式(5.5)に式(5.4)を代入しただけでは、M=JB_J(x)となって、(5.6)とは一致しない。説明が必要。

chap5.pdf　p69　11行目　[文法構造不正]
(誤)　相互作用の大きさを温度に換算すると室温より遥かに小さいことである。
(正)　相互作用の大きさを温度換算した値が、室温より遥かに小さいことである。

chap5.pdf　p69　12行目　[誤植]
(誤)　B=1T,で受けるエネルギーを、
(正)　B=1Tで受けるエネルギーは、

chap5.pdf　p69　下から4行目　[誤植]
(誤)　測定する場合多い。
(正)　測定する場合が多い。

chap5.pdf　p70　5行目　[誤植]
(誤)　の用にBに比例し、
(正)　のようにBに比例し、

chap5.pdf　p70　7行目　[誤植]
(誤)　5.3　キュリ　ー　則
(正)　5.3　キュリー則

chap5.pdf　p70　9行目　[誤植]
(誤)　その比例係数x,(M=xB)を帯磁率という。
(正)　その比例係数x(M=xB)を帯磁率という。

chap5.pdf　p70　10行目　[誤植]
(誤)　∂B/∂Bを微分帯磁率と呼び、式(5.10)のMを用いると、
(正)　∂M/∂Bを微分帯磁率と呼び、式(5.10)を用いると、

chap5.pdf　p70　11行目　[誤植]
(誤)　∝ C/T
(正)　= C/T

chap5.pdf　p70　12行目　[用語不適切]
(誤)　を得る。
(正)　で表せる。

chap5.pdf　p70　末行　[誤植]
(誤)　4f軌道に電子が1個から13個不完全に占有することで、Jの値を持つ。
(正)　4f軌道を、電子が1個から13個まで、不完全に占有することで、Jの値を持つ。

chap5.pdf　p71　1行目　[誤植]
(誤)　鉄属(3d軌道)、ランタノイド(5f)も同様である*3)
(正)　鉄族(3d軌道)、ランタノイド(5f)も同様である*3)。

chap5.pdf　p71　3行目　[文法構造不正]
(誤)　4f軌道は角運動量L=3であるので、そのz成分Lzは-3,-2,-1,0,1,2,3の7つの状態があるので、7つの箱を書く。
(正)　4f軌道の角運動量はL=3であり、そのz成分Lzは-3,-2,-1,0,1,2,3の7つの状態があるので、7つの箱を描く。

chap5.pdf　p71　7行目　[文法構造不正]
(誤)　この7つの箱には、以下のフントの規則を使っていれると良い。
(正)　この7つの箱には、以下のフントの規則を使ってスピンを入れると良い。

chap5.pdf　p71　下から2行目　[誤植]
(誤)　図に
(正)　【図がありません】

chap5.pdf　p71　補足*1)の2行目　[誤植]
(誤)　これ以外の電子のつまり方も、
(正)　これ以外の電子のつめ方も、

chap5.pdf　p71　補足*1)の末行　[誤植]
(誤)　すぐに、このフントの規則に合わない場合を示す。
(正)　後に、このフントの規則に合わない場合を示す。

chap5.pdf　p72　4行目　[誤植]
(誤)　Lの値に関して記号がはいり、L=0,1,2,3,4,5,6に対応して、S,P,D,F,G,H,I,Jと入る*1)
(正)　Lの値に対応して記号がはいり、L=0,1,2,3,4,5,6に対して、S,P,D,F,G,H,I,Jが入る*1)。

chap5.pdf　p72　11行目　[誤植]
(誤)　この導出は演習問題にする。
(正)　これの導出は演習問題にする。

chap5.pdf　p72　17行目　[誤植]
(誤)　全スピン角運動量Sになり、軌道角運動量がないように見えるので、軌道角運動量の消失と呼ぶ。
(正)　全スピン角運動量Sの関数になり、軌道角運動量がないように見えるので、これを軌道角運動量の消失と呼ぶ。

chap5.pdf　p72　補足*1)の1行目　[文法構造不正]
(誤)　原子の場合は都合の良いことに、f軌道までなので、Lの最大値は6なので都合が良いが、人工原子(Siの中に仮想的に作った原子の構造)だともっと高い角運動量になる。
(正)　原子の場合はf軌道までなので、Lの最大値は6で都合良いが、人工原子(Siの中に仮想的に作った原子の構造)だと、もっと角運動量が大きくなって、不都合が生じる。

chap5.pdf　p72　補足*2)の2行目　[文法構造不正]
(誤)　球面調和関数は複素数の関数でのmの量子数は、Lzに直接対応している。
(正)　球面調和関数は複素関数であり、その量子数mは、Lzに直接対応している。

chap5.pdf　p73　1行目　[誤植]
(誤)　<Lz> = <ψ|ih∂/∂|ψ>
(正)　<Lz> = <ψ|ih∂/∂φ|ψ>

chap5.pdf　p73　4行目　[誤植]
(誤)　Sz=3/2,から
(正)　Sz=3/2から

chap5.pdf　p73　5行目　[誤植/文意不明確]
(誤)　鉄属の場合のランデのg因子はJ=S,L=0とおいて、すべて2になる。
(正)　鉄族の場合、J=S,L=0とおけて、ランデのg因子はすべて2になる。

chap5.pdf　p73　6行目　[誤植]
(誤)　鉄属
(正)　鉄族

chap5.pdf　p73　下から3行目(5.17)式最右項　[誤植]
(誤)　X_{CW}B_{外}
(正)　M/B_{外}

chap5.pdf　p73　下から2行目　[誤植]
(誤)　T_{c}C = Cλ
(正)　T_{c} = Cλ

chap5.pdf　p74　補足*1)の2行目　[誤植]
(誤)　再び温度を下げていくと強磁性になるのであるが、
(正)　再び温度を下げていくと強磁性になるのだが、

chap5.pdf　p74　補足*1)の末行　[誤植]
(誤)　データの書き込みと、読み込みではコイルに流れる電流で制御できる。
(正)　データの書き込みと読み込みは、コイルに流れる電流で制御できる。
a5sb2040　櫛引駿介 12/12報告
chap6.pdf p.80 6行目
(誤)　エネルギー失う
(正)　エネルギーを失う　

a5sb2040　櫛引駿介 12/12報告
chap6.pdf p.80 10行目
(誤)　よってよって
(正)　よって
a5sb2040　櫛引駿介 12/12報告
chap6.pdf p.83 6行目
(誤)　I=EH/μ0
(正)  I=EB/μ0
a5sb2040　櫛引駿介 12/12報告
chap6.pdf p.87 下から2行目, p88 4行目
(誤)　満す
(正)  満たす
a5sb2040　櫛引駿介 12/12報告
chap6.pdf p.88 下から3行目
(誤)　基底状態に落ちる(図(6.6))*2)
(正)  基底状態に落ちる(図(6.6))*2)。
a5sb2040　櫛引駿介 12/12報告
chap6.pdf p.90 2行目
(誤)　誘導放出がおきる。(図(6.2))。
(正)  誘導放出がおきる(図(6.2))。
a5sb2040　櫛引駿介 12/12報告
chap6.pdf p.96 1行目, 図6.10(a)の解説2行目
(誤)  Im(ω)
(正)  Im(ε)
a5sb2040　櫛引駿介 12/12報告
chap6.pdf p.98 演習問題の2行上
(誤)　得意な物性
(正)  特異な物性
↑

質問など†

質問　(例）ここの入力方法がわかりません。
答　　授業で説明しましたので、友達に聞いてください。
質問　ここの入力方法がわかりません。
答　　入力できた学生に聞いてみてください。質問が入力できるのな入力できるのでは？
質問　(最新の提出記録から２週間たっているものは無効)　掲示板のこの記述ですが無効になったときは他の誰かが消して問題をする宣言をし直してもいいのでしょうか？
答　　消さないで、前の人の最後の部分に、無効確認と言う文字と日付を書いてください。その次の行に新たに宣言してください。無効確認は２週間後にできます。
質問  メールで最終提出したにも関らず、ポイントに加算されていません。
答　　受理された場合には、お返事のメールがあります。お返事のメールが無い場合には、メールが届いていない可能性があります。
　　　メールのSubject 欄に何も用件が書いていない、メールの本文が無いような場合には、SPAM（迷惑メール）と認識されて自動的にゴミ箱に入ります。
　　　ゴミ箱に入ったメールはチェックしません。メールは、名前と用件を必ず書くようにしてください。
質問  「中間試験、期末試験(合計 80 点満点)」とありますが期末試験は30点満点なのでしょうか。
答　　方針を変更して、合計100点満点としました。
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ポイント状況†

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