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** 2007 年度の受講者への連絡事項 [#a66002c8]
- 10/3（水）は休講といたします。
- この授業は、中間試験があります。
- このページは、編集ができますが関係ない部分を消去してはいけません。
** 課題の宣言(2007年度分) [#c68ddcef]
- ここに宣言を書いてください。間違って他の人のを消さないこと。先頭に一文字空白を入れる
- 課題に得点のついたものは、終了日を記入してください。
（例）齋藤（学籍番号）は、課題１−１を 10/24までに行います。（宣言日10/10）（終 課題1-2 10/18宣言 11/ 1 第１回提出 11/15 最終提出
了日11/11）
以下ここに記入してください。課題の状況にも記入がないと無効とします。
林 勁 （A5SB2119）は、課題4-12 を12/18 までに行います。（宣言日12/03）（最終提出12/04）
済木 健太 （A3SB2051）は、課題6-6 を12/20 までに行います。(宣言日12/06)
林 勁 （A5SB2119）は、課題6-1 を12/20 までに行います。（宣言日12/06）（最終提出12/11）
林 勁 （A5SB2119）は、課題6-14 を12/25 までに行います。（宣言日12/11）
駒形 将吾(A5SB2051)は、課題7-1を12/26までに行います。(宣言日12/12)
** 課題の状況(2007年度分） [#j1a1dc9c]
- 宣言した人は、自分の提出状況を正しく編集してください。
(例)課題1-1 10/11宣言、10/22 第１回提出、10/23 第２回提出、11/22 最終提出
以下ここに記入してください。最新の提出記録から２週間たっているものは無効
課題4-12 12/03 宣言 12/04 最終提出
課題6-6 12/06 宣言
課題6-1 12/06 宣言 12/11 最終提出
課題6-14 12/06 宣言
課題7-1 12/12 宣言
** 誤植の報告（2007年度分） [#w16aa56f]
- 誤植などを見つけた人はここに報告。ページ順になるように挿入してください。
(例）学籍番号 齋藤理一郎 chap1.pdf p.20 6行目(教科書の頁, pdf の頁でない）10/24 報告 OK (齋藤がつけます)
(誤） 運動エネルギーが、hbar^2/2m Delta
(正) 運動エネルギーが、-hbar^2/2m Delta (マイナスが付く）
a5sb2119 林 勁 12/06 報告
【解答済(受理済)課題について】
『演習(問題別 tex file)』には Q3-1; Q3-2; Q5-9; Q5-13; Q6-6; Q6-8; Q6-13 が含まれておりませんが、『演習(提出分全部) (pdf file)』には含まれているので、おそらく前者項目への記入漏れだと思われます。
a5sb2119 林 勁 11/25 報告
chap1.pdf p3 4行目の見出し [誤植]
(誤) 1.2 格子と逆格子:
(正) 1.2 格子と逆格子
chap1.pdf p3 補足*1) [文法構造不正]
(誤) 物理数学でフーリエ変換を勉強した人は、ちょうど格子と逆格子はフーリエ変換と逆変換でつながっている座標系に相当する。
(正) 格子の座標系と逆格子の座標系の関係は、物理数学で勉強した、フーリエ変換や逆変換を施した前後の、被変換対象の関係に相当する。
chap1.pdf p4 下から3行目 [誤植]
(誤) ここで重要な1のは、
(正) ここで重要なのは、
chap1.pdf p4 補足*3) [誤事実/文法構造不正]
(誤) これは丁度その窓が日光の反射光の向きに向いているからである。似たような現象は、日常生活では多く、そのたびにデバイ・シェラー法という言葉が思い出される。
(正) これは窓から目への方向が、窓で反射される日光の反射方向と、丁度一致するからである。日常生活で、似たような多くの現象に出合うが、そのたびにデバイ・シェラー法という言葉が思い出される。
chap1.pdf p6 下から8行目 [誤植]
(誤) (B)14個のブラベー格子子
(正) (B)14個のブラベー格子
chap1.pdf p9 図1.7及びそれに対する説明 [誤植]
(誤) r
(正) r~
chap1.pdf p9 3行目 [誤植]
(誤) k_{in}-k_{out}
(正) k_{out}-k_{in}
chap1.pdf p10 補足*1) [誤植]
(誤) (x->-x,y->-y,z->-zとする操作に対して対象であること)
(正) (x->-x,y->-y,z->-zとする操作に対して対称的であること)
chap1.pdf p11 3行目 [文法構造不正]
(誤) この8個の点を式(1.13)に代入すると、Siの原子構造因子をf_{S_i}とおくと
(正1) この8個の点を式(1.13)に代入すると、Siの原子構造因子をf_{S_i}として
(正2) この8個の点を式(1.13)に代入して、Siの原子構造因子をf_{S_i}とおくと
chap1.pdf p11 補足*1) [文法構造不正]
(誤) X線の散乱強度は絶対値の2乗であるので実数になるので問題ない。
(正1) X線の散乱強度は絶対値の2乗であるので、実数になるため問題ない。
(正2) X線の散乱強度は絶対値の2乗であるため、実数になるので問題ない。
(注意) 「補足*2)」が「補足*1)」より前にあること。他のページでも同様な例あり。
chap1.pdf p12 11行目(1.19)式 [誤植]
(誤) 1+exp{iPI(l+m+n)/2}
(正) f_{G_a}+f_{A_s}exp{iPI(l+m+n)/2}
(注意) 3行上に無駄な改行あり。
chap1.pdf p13 1行目 [文法構造不正]
(誤) ポテンシャルを簡単に、n(r)=exp{-ur}/rの様な湯川型ポテンシャルを仮定すると積分を実行することができ
(正1) ポテンシャルを簡単のため、n(r)=exp{-ur}/rの様な湯川型ポテンシャルであると仮定すると、積分を実行することができ
(正2) ポテンシャルを、n(r)=exp{-ur}/rの様な簡単な湯川型ポテンシャルであると仮定すると、積分を実行することができ
(注意) 同一頁に「補足*1)」が二つあり。
chap1.pdf p13 下から7行目 [文法構造不正]
(誤) 電子線は、軽く加速も容易であるが
(正1) 電子線は、質量が軽く、加速も容易であるが
(正2) 電子線は軽く、加速も容易であるが
a5sb2040 櫛引駿介 chap1.pdf p.11 (1.14)式 12/12報告
(誤）S_G = f_si{1 + e^(iπ(l+m)) + e^(iπ(l+n)) + e^(iπ(m+n)) + e^(iπ(l+m+n)/2)
+e^(iπ(3l+3m+n)/2)e^(iπ(3l+m+3n)/2) + e^(iπ(l+3m+3n)/2)}
(正) S_G = f_si{1 + e^(iπ(l+m)) + e^(iπ(l+n)) + e^(iπ(m+n)) + e^(iπ(l+m+n)/2)
+e^(iπ(3l+3m+n)/2) + e^(iπ(3l+m+3n)/2) + e^(iπ(l+3m+3n)/2)}
a5sb2124 富永祐 chap1.pdf p.11 最終行
11/23 報告
(誤） 散乱角２θは式(1.3)より
(正) 散乱角２θは式(1.1)より
a5sb2052 昆野修士 chap2.pdf p.18 6行目 11/27報告
左端に無駄な一字空けあり。
a5sb2052 昆野修士 chap2.pdf p.18 8行目 11/27報告
(誤)励起するることができない
(正)励起することができない
a5sb2052 昆野修士 chap2.pdf p.20 下から4行目及びchap2.pdf p.21 2行目 11/27報告
語句の不統一。
p20ではシュレヂィンガー方程式
p21ではシュレヂンガー方程式
a5sb2119 林 勁 11/27 報告
chap2.pdf p21 下から3行目(2.6)式 [誤植]
(誤) H(r) = h^2Δ/(2m) + V(r)
(正) H(r) = - h^2Δ/(2m) + V(r)
chap2.pdf p22 補足*1) [誤植]
(誤) 、exp{i(k+G)r}
(正) exp{i(k+G)r}
chap2.pdf p24 前頁からの補足*3) [文法構造不正]
(誤) 内側の軌道の計算を無視して、結合に関する軌道だけを精度良く計算する手法である。
(正) 擬ポテンシャル法は、内側の軌道の計算を無視して、結合に関する軌道だけを精度良く計算する手法である。
chap2.pdf p24 補足*2) [文法構造不正]
(誤) C_iを定数に扱うことができる
(正) C_iを定数として扱うことができる
chap2.pdf p25 3行目 [誤植]
(誤) 求めることができる*3)
(正) 求めることができる。*3)
chap2.pdf p25 下から2行目(2.15)式 [誤植]
(誤) < ψ(r-R') |H| ψ(r-R') >
(正) < ψ(r-R') |H| ψ(r-R) >
chap2.pdf p25 下から1行目(2.15)式 [誤植]
(誤) < ψ(r-R') | ψ(r-R') >
(正) < ψ(r-R') | ψ(r-R) >
chap2.pdf p26 1行目 [誤植]
(誤) < ψ(r-R') |H| ψ(r-R') >
(正) < ψ(r-R') |H| ψ(r-R) >
chap2.pdf p26 2行目(2.15)式 [誤植]
(誤) < ψ(r-R') | ψ(r-R') >
(正) < ψ(r-R') | ψ(r-R) >
chap2.pdf p27 4行目 [誤植]
(誤) 単位胞に2つ以上の原子がある場合にや、
(正) 単位胞に2つ以上の原子がある場合や、
chap2.pdf p28 5行目 [誤植]
(誤) 存在する状態の数dNとするとき
(正) 存在する状態の数をdNとするとき
chap2.pdf p28 6行目 [文法構造不正]
(誤) D(E)の単位は、状態数/エネルギーであるが一つのエネルギーバンドをエネルギーバンド幅で積分したときに、2になるような状態数の定義を使うのが普通である。
(正) D(E)の単位は、状態数/エネルギーである。状態数は、一つのエネルギーバンドをエネルギーバンド幅で積分したときに、2になるように定義するのが普通である。
chap2.pdf p28 下から5行目(2.23)式 [誤事実]
(誤) dN/dE = L/π (2tSin(ka))^{-1} = L/π ((2t)^2 - E^2)^{-1}
(正) dN/dE = L/π (-2atSin(ka))^{-1} = - L/{aπ} ((2t)^2 - E^2)^{-1/2}
chap2.pdf p28 補足*1) [誤植]
(誤) 長さLでの波の波長λがおよそL/p(pは整数)で与えられる。
(正) 長さLでの波の波長λはおよそL/p(pは整数)で与えられる。
a4sb2012 岩崎恵介 chap3.pdf p.35 10行目 11/27報告
(誤) x_l±1 = exp±ikpx_l
(正) x_l±1 = exp(±ikp)x_l (カッコ抜け)
a5sb2124 富永祐 chap3.pdf p.35 10行目
11/23 報告
(誤） を模用いると
(正) を用いると （前の式も誤植）
a5sb2124 富永祐 chap3.pdf p.39
11/23 報告
(誤） kx 2/2
(正) kx^2/2 (誤植)
a5sb2119 林 勁 11/27 報告
chap3.pdf p36 下から3行目 [文法構造不正]
(誤) 辺々をひくということで
(正) 辺々をひくことで
chap3.pdf p37 11行目 [文法構造不正]
(誤) また光学フォノンはイオンが + と - に交互に並んでいる物質に光(電場)が加わると + と - のイオンで逆方向の力を受けて振動がおこることに起因している。
(正) また光学フォノンは、+ イオンと - イオンが交互に並んでいる物質に光(電場)が加わって、+ と - のイオンが逆方向の力を受けて振動することに起因している。
chap3.pdf p39 4行目 [誤植/文法構造不正]
(誤) x^3やx4の項は0ではないこれを振動の非調和性という。
(正) x^3やx^4の項は0ではない。これを振動の非調和性という。
chap3.pdf p39 下から4行目 [誤植]
(誤) フォノンノン
(正) フォノン
(注意) 当単語を含む一文は[文法構造不正]にも当たる。但し、文の意味の完全理解に達することができなかったので、訂正しませんでした。
chap3.pdf p39 下から2行目 [誤植]
(誤) フォノンフォノン相互作用
(正) フォノン-フォノン相互作用
chap3.pdf p40 11行目 [誤植]
(誤) 量子かされた最小の励起を素励起と呼ぶ。
(正) 量子化された最小の励起を素励起と呼ぶ。
chap3.pdf p40 15行目 [誤植]
(誤) hk^2 /2M が物質中で散乱されて
(正) h(k_i)^2 /2M が物質中で散乱されて
chap3.pdf p40 下から3行目 [誤植/文法構造不正]
(誤) 中性子散乱が、フォノンのエネルギーを測定に適している理由は、ドブロイ波長が原子間隔程度の中性子は、室温程度のエネルギーだからである*3)
(正) 中性子散乱が、フォノンのエネルギーを測定するのに適している理由は、ドブロイ波長が原子間隔程度の中性子の持つエネルギーが、室温程度だからである。*3)
chap3.pdf p40 一つ目の補足*2)の2行目 [誤植]
(誤) 熱電導率
(正) 熱伝導率
chap3.pdf p40 二つ目の補足*2)の2行目 [誤植]
(誤) 電子正孔対の素励起であるエキシトン,さらにはポラリトン,ポーラロン,と様々な複合素励起が存在する。
(正) 電子正孔対の素励起であるエキシトン,さらにはポラリトン,ポーラロンと、様々な複合素励起が存在する。
chap3.pdf p41 下から2行目 [文法構造不正]
(誤) 中性子は,電荷がないので物質中では比較的散乱しにくいので,原子との衝突を測定するのに有利であるが,中性子源が特殊であるということと,電荷がないのでエネルギーや運動量を調節するには特殊な技術が必要になる。
(正1) 中性子は電荷がなく,物質中では比較的散乱しにくいので,原子との衝突を測定するのに有利である。しかし,中性子源が特殊であるということと,電荷がないということから,そのエネルギーや運動量の調節には特殊な技術が必要である。
(正2) 中性子は電荷がないので,物質中では比較的散乱しにくく,原子との衝突を測定するのに有利である。しかし,中性子源が特殊であるということと,電荷がないということから,そのエネルギーや運動量の調節には特殊な技術が必要である。
(注意) 全7章にわたって、「,」と「、」の使用基準非統一が見られます。
chap3.pdf p41 前頁補足*3)の続きの下から2行目 [誤植]
(誤) 中性子線は、室温程度のエネルギーで原子間隔程度の波長をもっている。
(正) 中性子線は、室温程度のエネルギーと原子間隔程度の波長をもっている。
chap3.pdf p41 補足*1)1行目 [誤植/文法構造不正]
(誤) シンクロトロンは,電子の相対論的質量の変化を考慮した加速機で電子をほぼ円周上を加速する装置である。
(正) シンクロトロンは,電子の相対論的質量の変化を考慮した加速器で,電子をほぼ円周上で加速する装置である。
chap3.pdf p41 補足*1)2行目 [文法構造不正]
(誤) 電子の軌道を強力な磁石で曲げると,軌道の接線方向に強い X 線を放射する。
(正) 電子の軌道を強力な磁石で曲げると,電子は軌道の接線方向に強い X 線を放射する。
a5sb2052 昆野修士 chap3.pdf p.40 12行目 11/28報告
括弧抜け
(誤)エネルギーhk^2/2Mが
(正)エネルギーhk^2/2M)が
a4sb2012 岩崎恵介 chap3.pdf p.40 1行目 11/30報告
(誤)行われるようになってきた(日本では、
(正)行われるようになってきた。日本では、
a5sb2052 昆野修士 chap4.pdf p.52 9行目 11/27報告
(誤)2を書ければ
(正)2を掛ければ
a5sb2101 本多良太郎 Q.pdf p.17 8行目 式(2-6-8) 11/28報告
演習問題の解答の誤植です。
教科書の誤植ではないのですが、念のため報告しておきます。
(誤)H(k)=
(正)E(k)=
a5sb2101 本多良太郎 Q.pdf p.28 3行目 式(3-2-1) 11/28報告
これも演習問題の解答の誤植です。
(誤)-K{x_(l)-y_(l-1)}-K{x_(l)-y_(l-1)}
(正)-K{x_(l)-y_(l)}-K{x_(l)-y_(l-1)}
a5sb2101 本多良太郎 Q.pdf p.48 8行目 式(4-5-1) 11/28報告
これも演習問題の解答の誤植です。
(誤)E_F=h*{k_(F)}^2/(2*m)
(正)E_F=h^2*{k_(F)}^2/(2*m)
a5sb2119 林 勁 11/28 報告
chap4.pdf p45 下から3行目 [誤植]
(誤) このことをこの章では示す。
(正) このことをこの章で示す。
chap4.pdf p46 下から3行目 [誤植]
(誤) I属のアルカリ金属
(正) I族のアルカリ金属
chap4.pdf p46 下から2行目 [誤植]
(誤) 金属になる*3)I属とIIV属
(正) 金属になる。*3)I族とII族
chap4.pdf p46 一つ目の補足*2)の1行目 [誤植]
(誤) 同じ状態に1つの粒子か入ることができない粒子を
(正) 同じ状態に1つの粒子しか入ることができない粒子を、
chap4.pdf p46 一つ目の補足*2)の3行目 [誤植]
(誤) 統計とスピンの大きさには関係があり、
(正) 統計とスピンの大きさには関連性があり、
chap4.pdf p46 補足*3) [誤植]
(誤) 通常の空気中に置くと発火するほど反応性が高いので金属として使われることはない。
(正) 通常の空気中に置くと発火するほど反応性が高いので、金属単体で使われることはない。
chap4.pdf p47 図4.1の説明の1行目 [誤植]
(誤) 2つのエネルギーバンドが重なり、電子が低いエネルギーバンドにすべて占有する(太い線)前に高いエネルギーバンドに占有した状態。
(正) 2つのエネルギーバンドが重なり、電子が低いエネルギーバンドをすべて占有する(太い線)前に、高いエネルギーバンドを占有した状態。
chap4.pdf p47 1行目 [誤植]
(誤) III属(B,Al,Ga)は金属、IV属(Si,Ge)は半導体の性質を示す。
(正) III族(B,Al,Ga)は金属、IV族(Si,Ge)は半導体の性質を示す。
chap4.pdf p47 2行目 [誤植/文法構造不正]
(誤) しかしII属である、アルカリ土類金属(Be,Mg,Ca)は各原子にs電子が2個あり一つのエネルギーバンドに占有するとなると半導体か絶縁体になりそうであるが、そうならない。
(正) しかしII族である、アルカリ土類金属(Be,Mg,Ca)は、各原子にs電子が2個あり、これらの電子が同一のエネルギーバンドを占有するとなると、アルカリ土類金属は半導体か絶縁体になりそうだが、そうはならない。
chap4.pdf p47 6行目 [文法構造不正]
(誤) したがって価電子帯に電子がすべて満たされる前に、伝導帯にも電子が占有される。
(正) したがって価電子帯が電子ですべて満たされる前に、電子は伝導帯をも占有している。
chap4.pdf p47 7行目 [文法構造不正]
(誤) この場合、価電子帯と伝導帯の両方に励起な容易な電子が存在する。
(正) この場合、価電子帯と伝導帯の両方に、励起しやすい電子が存在する。
chap4.pdf p47 下から7行目 [文法構造不正]
(誤) 電子は、エネルギーバンドのどこにいるかで実効的な重さが異なり、次にのべる有効質量という概念が重要である。
(正) 電子は、エネルギーバンドのどこにいるかで、実効的な重さが異なり、このことは次に述べる有効質量という概念において重要である。
chap4.pdf p48 下から4行目 [文意不明瞭/誤事実]
(誤) 泡は上がると我々は見るのであるが、泡の部分で水が下がっているわけである。水で満たされているときの泡は泡が動くと考えた方が視覚的でわかりやすい。
(正) 水中で泡が上昇していると我々には見えるが、実際は泡のすぐ上と横にある水が、泡の下に落ちているのである。しかし、水の中にある泡を見るときは、水が動いていると捉えるよりも、泡が動いていると捉えた方が、視覚的でわかりやすい。
chap4.pdf p49 2行目 [文法構造不正]
(誤) ホールのある場所は電子がすべてつまっているときよりも、+e(>0)の電荷をもち、質量を絶対値をとって正にすれば、電場をかけたときにホールは電子と反対方向に動く。
(正) ホールのある場所は電子でつまっているときよりも、+e(>0)の電荷を持つ。ホールの質量を絶対値とって正にすれば、電場をかけたときにホールは電子と反対方向に動く。
chap4.pdf p49 11行目 [誤植]
(誤) p型半導体のキャリヤーは電子であるである。
(正) n型半導体のキャリヤーは電子である。
chap4.pdf p49 下から2行目 [文法構造不正]
(誤) 電子は自由に動けるといっても、エネルギーバンドの底からつまった状態*1)であるので、金属中では動けるものは、もっともエネルギーの高い部分だけであり、占有する最も高いエネルギーのことをフェルミエネルギー、以下EFと呼ぶ*2)。
(正) 電子は自由に動けるといっても、エネルギーバンドは底からつまった状態*1)であるので、金属中で動ける電子は、もっともエネルギーの高い部分のものだけであり、それらが占有する最も高いエネルギーのことをフェルミエネルギー、以下EFと呼ぶ*2)。
chap4.pdf p49 補足*1)の2行目 [誤植]
(誤) 期待
(正) 気体
chap4.pdf p50 4行目 [文法構造不正]
(誤) それ以下のエネルギーでは、励起した先にすでに電子がつまっているので、パウリの原理*3)。
(正) それ以下のエネルギーでは、励起した先にすでに電子がつまっているので、パウリの原理より、励起は起こりえない*3)。
chap4.pdf p50 5行目 [文意不明瞭]
(誤) このような状況では、電子は温度Tを持つときにはフェルミ分布関数f(E)に従う(図(4.4)(a))。
(正) このような状況で、温度がTのとき、電子はフェルミ分布関数f(E)に従う(図(4.4)(a))。
chap4.pdf p50 下から1行目 [誤植]
(誤) ここでk_Bはボルツマン定数*1)μは化学ポテンシャル
(正) ここでk_Bはボルツマン定数*1)、μは化学ポテンシャル
chap4.pdf p50 補足*1) [誤植]
(誤) フェルミ統計に従う電子は、同じ状態(スピン自由度も含む)に1つしか占有できないことをパウリの原理という
(正) フェルミ統計に従う電子は、同じ状態(スピン自由度も含む)を、1つしか占有できないことをパウリの原理という。
chap4.pdf p51 5行目 [文法構造不正]
(誤) 有効質量の大きさが正のフェルミ面を簡単に電子面と呼び負のフェミル面をホール面と呼び、それぞれ大きさによって、電子的、ホール的、半金属的な電気伝導をすることがわかる。
(正) 有効質量の大きさが正のフェルミ面を、簡単のため電子面と呼び、負のフェミル面をホール面と呼ぶ。それぞれのフェミル面が、大きさによって、電子的、ホール的、半金属的な電気伝導をする。
chap4.pdf p51 一つ目の補足*2)の1行目 [文法構造不正]
(誤) 日常生活では『持ち込み料』に概念が似ている。
(正) 日常生活での『持ち込み料』の概念に似ている。
chap4.pdf p51 一つ目の補足*2)の末行 [誤植]
(誤) が以下の議論ではこの補正は考慮しない。
(正) が、以下の議論ではこの補正は考慮しない。
chap4.pdf p52 8行目 [誤植]
(誤) (2π/L)^3で割れば、状態の個数である。
(正) (2π/L)^3で割れば、状態の個数になる。
chap4.pdf p52 12行目 [文法構造不正]
(誤) 以下N単位体積あたりの状態数で定義することにする。
(正) 以下では、Nを単位体積あたりの状態数として定義する。
(注意) 本頁最終行では、無駄な改行が行われている。
chap4.pdf p53 補足*1) [誤植]
(誤) ^{1}2C
(正) ^{12}C
chap4.pdf p53 補足*1)の1行目 [誤植]
(誤) 治まる
(正) 収まる
chap4.pdf p53 補足*1)の2行目 [文法構造不正]
(誤) まず金属での常識的な値を知っているのが良い。
(正) まず金属の常識的な値を知っておくのが良い。
chap4.pdf p54 3行目(4.7)式 [誤植]
(誤) dR
(正) dE
chap4.pdf p54 9行目 [文法構造不正]
(誤) パウリの原理により、同じ状態に2つ以上の電子を占有することができないため絶対0度でも自由電子は動き回っている。
(正) パウリの原理により、同じ状態を2つ以上の電子が同時に占有することはできない、そのため絶対0度でも自由電子は動き回っている。
chap4.pdf p55 2行目 [誤植]
(誤) N/V = [(k_F)^3]/[3π^2] .
(正) N/V = [(k_F)^3]/[3π^2] ,
chap4.pdf p55 下から4行目 [誤植]
(誤) ここで p ∝ V^(-2/3) であるから
(正) ここで p ∝ V^(-5/3) であるから
chap4.pdf p56 下から6行目(4.15)式の二つの等号の間 [誤植]
(誤) [(3π^2) V/N]^(1/3)
(正) [(3π^2) N/V]^(1/3)
chap4.pdf p57 8行目 [誤解を生ずる表現]
(誤) プランクの定数
(正1) ディラック定数
(正2) 有理化されたプランク定数
chap4.pdf p58 3行目(4.18)式 [誤植]
(誤) e/T/L
(正) eT/L
chap4.pdf p58 6行目 [文法構造不正]
(誤) このように、原子単位の採用は、計算の便法以外にも物理量の量子性を調べるときに重要な概念であることがわかる。
(正) このように原子単位は、計算の便法である上、物理量の量子性を調べるときの重要な概念でもある。
chap4.pdf p58 11行目 [文法構造不正]
(誤) すき焼きなど、肉を焼くときは厚い鉄板を使った方がおいしい。
(正) すき焼きなどのとき、肉は厚い鉄板を使って焼いた方がおいしい。
chap4.pdf p59 最終行 [誤植]
(誤) 物理の大学院の入試の面接で合格点である*3)。
(正) 物理の大学院の入試の面接で合格点が出る*3)。
chap4.pdf p59 補足*1)の2行目 [誤植]
(誤) 書けて
(正) 掛けて
chap4.pdf p59 補足*2)の下から2行目 [誤植]
(誤) 15
(正) 15%
chap4.pdf p60 3行目 [誤植]
(誤) 磁場Bを書けると
(正) 磁場Bを掛けると
chap4.pdf p60 4行目 [文法構造不正]
(誤) (磁気モーメントの向き磁場にそろっている方がエネルギーが下がる。)
(正) (磁気モーメントの向きと磁場の向きが、そろっている方がエネルギーは下がる。)
chap4.pdf p60 最初の補足*1)の1行目 [用語不適切]
(誤) 思わぬボロがでないように、十分理解していることが大事である。
(正) 思わぬボロがでないように、十分理解していることが必要である。
chap4.pdf p61 図4.10の1行目 [誤植/文法構造不正]
(誤) 操作トンネル顕微鏡の模式図。原子面を先の尖ったチップをなぞることでトンネル電流の大小を検出する。
(正) 走査トンネル顕微鏡の模式図。原子面を先の尖ったチップでなぞることにより、トンネル電流の大小を検出する。
chap4.pdf p61 4行目 [用語不適切]
(誤) 金属の物性を記述するために、自由電子模型でも観測値に近い値が出たのは、
(正) 金属の物性を記述する際に、自由電子模型でも観測値に近い値が出たのは、
chap4.pdf p61 下から2行目 [誤植]
(誤) 操作トンネル分光
(正) 走査トンネル分光
chap4.pdf p61 前頁補足の続きの1行目 [文法構造不正]
(誤) パウリの常磁性は十分長い時間のあとに定常的に観測した結果である違いに注意したい。
(正) パウリの常磁性は十分長い時間のあとに、定常的に観測した結果である。その両者の違いに注意したい。
chap4.pdf p61 前頁補足の続きの下から3行目 [誤植]
(誤) パウリの状磁性
(正) パウリの常磁性
chap4.pdf p62 2行目 [文法構造不正]
(誤) その距離をプロットする(または高さを一定にして、電流値を測定する)
(正) その距離をプロットする(または高さを一定にして、電流値をプロットする)
chap4.pdf p62 3行目 [誤植/文脈的文法構造不正]
(誤) これを操作トンネル顕微鏡(STM*2))である
(正) このような装置が走査トンネル顕微鏡(STM*2))である
chap4.pdf p62 下から5行目 [文法構造不正]
(誤) STS/STMの実験では、電流が流れないといけないので金属か半導体に限られる。
(正) STS/STMの実験では、電流が流れないといけないので、測定対象は金属か半導体に限られる。
chap4.pdf p62 下から2行目 [用語不適切]
(誤) 派生する測定技術は多い。
(正) 派生した測定技術は多い。
chap4.pdf p62 下から2行目 [文法構造不正/誤植]
(誤) それらを総称して操作プロープ顕微鏡(SPM*6))と呼ぶ。
(正) それらを走査プロープ顕微鏡(SPM*6))と総称する。
chap4.pdf p62 最終行 [用語不適切]
(誤) ナノサイエンスにとっては、極めて有力で比較的簡便な実験方法であり広く用いられている。
(正) ナノサイエンスにおいては、極めて有力で、かつ簡便な実験方法として、広く用いられている。
a5sb2040 櫛引駿介 chap4.pdf p46 下から2行目 [誤植] 12/12 報告
(誤) I属とIIV属
(正) I族と�将斬�
a5sb2119 林 勁 12/2 報告
chap5.pdf p66 5行目 [誤植]
(誤) 良く使うことが多い。
(正) よく使うことがある。
chap5.pdf p12 末行 [誤植]
(誤) またスピンとは電子が固有に持っている角運動量でその大きさがh/2である。
(正) またスピンとは電子が固有に持っている角運動量で、その大きさはh/2である。
chap5.pdf p66 補足*3) [誤植]
(誤) 電磁気学でも、
(正) 電磁気学では、
chap5.pdf p67 表5.1の説明文の1行目 [誤植]
(誤) 外部磁場がないと磁化が発生しないものを必要と書いた。
(正) 外部磁場がないと磁化が発生しないものを"必要"と書いた。
chap5.pdf p67 4行目 [誤植]
(誤) 表??に磁性をまとめてみた。
(正) 表5.1に磁性をまとめてみた。
chap5.pdf p67 下から4行目(5.1)式 [誤植<(5.2)式に矛盾>]
(誤) -gu_BJ
(正) gu_BJ
chap5.pdf p67 下から3行目 [文意不明瞭]
(誤) uを電子1個の磁気モーメントu_Bの何倍であるかと考えたときのJの値を除いた部分をgと書き、g因子と呼ぶ。
(正) uとgu_BJの比例係数をgとし、その名をg因子と呼ぶ。
chap5.pdf p68 1行目 [誤植]
(誤) g=2である*1)
(正) g=2である*1)。
chap5.pdf p68 4行目 [文法構造不正]
(誤) m_Jは全角運動量Jのz成分であり、2J+1個の量子状態である。
(正) m_Jは全角運動量Jのz成分であり、2J+1個の量子状態を持つ。
chap5.pdf p68 6行目 [誤植]
(誤) 熱平衡状態ではカノニカル分布に従う*1)
(正) 熱平衡状態ではカノニカル分布に従う*1)。
chap5.pdf p68 7行目 [誤植]
(誤) exp(-E/k_{rmB}T)
(正) exp(-E/k_{B}T)
chap5.pdf p68 下から5行目 [文脈的誤植]
(誤) sum_{m_J=-J}^{J}e^{am_J}
(正) Z = sum_{m_J=-J}^{J}e^{am_J}
chap5.pdf p68 下から4行目 [誤植]
(誤) [e^{-a/2}(e^{-a(J+1/2)}-e^{a(J+1/2)})] / [e^{-a/2}(e^{-a/2}-e^{a/2})]
(正) [-e^{a/2}(e^{-a(J+1/2)}-e^{a(J+1/2)})] / [-e^{a/2}(e^{-a/2}-e^{a/2})]
chap5.pdf p68 下から2行目 [文法構造不正]
(誤) 表される
(正) 表せる
chap5.pdf p68 補足*2)の1行目 [誤植]
(誤) S=a(1+r+r^2+・+r^{n-1}から
(正) S=a(1+r+r^2+…+r^{n-1})から
chap5.pdf p68 補足*3)の1行目 [誤植]
(誤) e^{-a/2}をかける
(正) -e^{a/2}を割る
chap5.pdf p68 補足*3)の2行目 [誤植]
(誤) cos{x}
(正) cosh{x}
chap5.pdf p68 補足*3)の3行目 [誤植]
(誤) isinh{ix} = sin{x}
(正) isinh{ix} = -sin{x}
chap5.pdf p69 2行目 [誤植]
(注意) 式(5.5)に式(5.4)を代入しただけでは、M=JB_J(x)となって、(5.6)とは一致しない。説明が必要。
chap5.pdf p69 11行目 [文法構造不正]
(誤) 相互作用の大きさを温度に換算すると室温より遥かに小さいことである。
(正) 相互作用の大きさを温度換算した値が、室温より遥かに小さいことである。
chap5.pdf p69 12行目 [誤植]
(誤) B=1T,で受けるエネルギーを、
(正) B=1Tで受けるエネルギーは、
chap5.pdf p69 下から4行目 [誤植]
(誤) 測定する場合多い。
(正) 測定する場合が多い。
chap5.pdf p70 5行目 [誤植]
(誤) の用にBに比例し、
(正) のようにBに比例し、
chap5.pdf p70 7行目 [誤植]
(誤) 5.3 キュリ ー 則
(正) 5.3 キュリー則
chap5.pdf p70 9行目 [誤植]
(誤) その比例係数x,(M=xB)を帯磁率という。
(正) その比例係数x(M=xB)を帯磁率という。
chap5.pdf p70 10行目 [誤植]
(誤) ∂B/∂Bを微分帯磁率と呼び、式(5.10)のMを用いると、
(正) ∂M/∂Bを微分帯磁率と呼び、式(5.10)を用いると、
chap5.pdf p70 11行目 [誤植]
(誤) ∝ C/T
(正) = C/T
chap5.pdf p70 12行目 [用語不適切]
(誤) を得る。
(正) で表せる。
chap5.pdf p70 末行 [誤植]
(誤) 4f軌道に電子が1個から13個不完全に占有することで、Jの値を持つ。
(正) 4f軌道を、電子が1個から13個まで、不完全に占有することで、Jの値を持つ。
chap5.pdf p71 1行目 [誤植]
(誤) 鉄属(3d軌道)、ランタノイド(5f)も同様である*3)
(正) 鉄族(3d軌道)、ランタノイド(5f)も同様である*3)。
chap5.pdf p71 3行目 [文法構造不正]
(誤) 4f軌道は角運動量L=3であるので、そのz成分Lzは-3,-2,-1,0,1,2,3の7つの状態があるので、7つの箱を書く。
(正) 4f軌道の角運動量はL=3であり、そのz成分Lzは-3,-2,-1,0,1,2,3の7つの状態があるので、7つの箱を描く。
chap5.pdf p71 7行目 [文法構造不正]
(誤) この7つの箱には、以下のフントの規則を使っていれると良い。
(正) この7つの箱には、以下のフントの規則を使ってスピンを入れると良い。
chap5.pdf p71 下から2行目 [誤植]
(誤) 図に
(正) 【図がありません】
chap5.pdf p71 補足*1)の2行目 [誤植]
(誤) これ以外の電子のつまり方も、
(正) これ以外の電子のつめ方も、
chap5.pdf p71 補足*1)の末行 [誤植]
(誤) すぐに、このフントの規則に合わない場合を示す。
(正) 後に、このフントの規則に合わない場合を示す。
chap5.pdf p72 4行目 [誤植]
(誤) Lの値に関して記号がはいり、L=0,1,2,3,4,5,6に対応して、S,P,D,F,G,H,I,Jと入る*1)
(正) Lの値に対応して記号がはいり、L=0,1,2,3,4,5,6に対して、S,P,D,F,G,H,I,Jが入る*1)。
chap5.pdf p72 11行目 [誤植]
(誤) この導出は演習問題にする。
(正) これの導出は演習問題にする。
chap5.pdf p72 17行目 [誤植]
(誤) 全スピン角運動量Sになり、軌道角運動量がないように見えるので、軌道角運動量の消失と呼ぶ。
(正) 全スピン角運動量Sの関数になり、軌道角運動量がないように見えるので、これを軌道角運動量の消失と呼ぶ。
chap5.pdf p72 補足*1)の1行目 [文法構造不正]
(誤) 原子の場合は都合の良いことに、f軌道までなので、Lの最大値は6なので都合が良いが、人工原子(Siの中に仮想的に作った原子の構造)だともっと高い角運動量になる。
(正) 原子の場合はf軌道までなので、Lの最大値は6で都合良いが、人工原子(Siの中に仮想的に作った原子の構造)だと、もっと角運動量が大きくなって、不都合が生じる。
chap5.pdf p72 補足*2)の2行目 [文法構造不正]
(誤) 球面調和関数は複素数の関数でのmの量子数は、Lzに直接対応している。
(正) 球面調和関数は複素関数であり、その量子数mは、Lzに直接対応している。
chap5.pdf p73 1行目 [誤植]
(誤) <Lz> = <ψ|ih∂/∂|ψ>
(正) <Lz> = <ψ|ih∂/∂φ|ψ>
chap5.pdf p73 4行目 [誤植]
(誤) Sz=3/2,から
(正) Sz=3/2から
chap5.pdf p73 5行目 [誤植/文意不明確]
(誤) 鉄属の場合のランデのg因子はJ=S,L=0とおいて、すべて2になる。
(正) 鉄族の場合、J=S,L=0とおけて、ランデのg因子はすべて2になる。
chap5.pdf p73 6行目 [誤植]
(誤) 鉄属
(正) 鉄族
chap5.pdf p73 下から3行目(5.17)式最右項 [誤植]
(誤) X_{CW}B_{外}
(正) M/B_{外}
chap5.pdf p73 下から2行目 [誤植]
(誤) T_{c}C = Cλ
(正) T_{c} = Cλ
chap5.pdf p74 補足*1)の2行目 [誤植]
(誤) 再び温度を下げていくと強磁性になるのであるが、
(正) 再び温度を下げていくと強磁性になるのだが、
chap5.pdf p74 補足*1)の末行 [誤植]
(誤) データの書き込みと、読み込みではコイルに流れる電流で制御できる。
(正) データの書き込みと読み込みは、コイルに流れる電流で制御できる。
a5sb2119 林 勁 12/14 報告
new-chap5.pdf p65 8行目 [誤植]
(誤) 磁石のN極が近づいてきたとき物資の表面に小さなS極ができて引力を感じるものを常磁性という。
(正) 磁石のN極が近づいてきたとき、物質の表面に小さなS極ができて、引力を感じる性質を常磁性という。
new-chap5.pdf p65 10行目 [誤植]
(誤) これに対し物資の表面に小さなN極ができて斥力を感じるものを反磁性という。
(正) これに対し物質の表面に小さなN極ができて、斥力を感じる性質を反磁性という。
new-chap5.pdf p65 下から5行目 [誤植]
(誤) 磁気モーメントがそろうが、
(正) 磁気モーメントはそろうが、
new-chap5.pdf p65 下から4行目 [誤植(context)]
(誤) そろう場合がある。
(正) そろう場合もある。
new-chap5.pdf p66 2行目 [誤植]
(誤) その大きさがh/2である。
(正) その大きさはh/2である。
new-chap5.pdf p66 8行目 [誤植]
(誤) そのうち代表的のものを解説する。
(正) そのうち代表的なものを解説する。
new-chap5.pdf p66 補足*1) [文法構造不正]
(誤) 電流Iが面積Sの円盤の周囲に流れるとISの磁気モーメントが発生する。
(正) 電流Iが面積Sの円盤の周囲に流れると、磁気モーメントISが発生する。
new-chap5.pdf p67 図5.1の説明の1行目 [誤植]
(誤) 磁化が発生しないものを必要と書いた。
(正) 磁化が発生しないものを「必要」と書いた。
new-chap5.pdf p67 下から5行目 [文法構造不正]
(誤) 2J+1個の量子状態である
(正) 2J+1個の量子状態を持つ
new-chap5.pdf p67 下から2行目 [誤植]
(誤) カノニカル分布に従う*1)カノニカル分布では、
(正) カノニカル分布に従う*1)。カノニカル分布では、
new-chap5.pdf p67 補足*3)の1行目 [文法構造不正]
(誤) 観測で2からずれるのは電子を取り巻く真空が電磁場に対し応答していることによる。
(正) 観測で2からずれるのは、電子を取り巻く真空の電磁場に対する応答によるものである。
new-chap5.pdf p68 4行目 [誤植]
(誤) \sigma
(正) Z = \sigma
new-chap5.pdf p68 補足*2)の2行目 [誤植]
(誤) \cos{x}
(正) \cosh{x}
new-chap5.pdf p68 補足*2)の3行目 [誤植]
(誤) i\sinh{ix} = \sin{x}
(正1) i\sinh{ix} = -\sin{x}
(正2) \sinh{ix} = i\sin{x}
new-chap5.pdf p69 3行目 [誤植]
(誤) M≡NM_1とおくと、M=NgJ{u_B}B_J(x)
(正1) M≡Ng{u_B}M_1とおくと、M=NgJ{u_B}B_J(x)
(正2) M≡NM_1とおくと、M=NJB_J(x)
new-chap5.pdf p69 12行目 [誤植]
(誤) Jの値が小さい方が、
(正1) Jの値の小さい方が、
(正2) Jの値が小さい方は、
new-chap5.pdf p69 14行目 [文法構造不正/文意不明瞭/用語不適格]
(誤) ここで重要なのは、相互作用の大きさを温度に換算すると室温より遥かに小さいことである。
(正) ここで重要なのは、温度に換算された相互作用の大きさが、室温より遥かに低いというである。
new-chap5.pdf p70 2行目 [誤植]
(誤) を用いるとB_J(x)は、
(正) の第１項を無視して用いるとB_J(x)は、
new-chap5.pdf p70 下から5行目 [誤植]
(誤) 5.3 キュリ ー 則
(正) 5.3 キュリー則
new-chap5.pdf p71 1行目 [誤植]
(誤) 式(5.11)で与えられるように、
(正) 式(5.11)で与えられているように、
new-chap5.pdf p71 4行目 [文意不明瞭]
(誤) 式(5.11)でJ(J+1)は全角運動量の2乗J^2の期待値であり、
(正) 式(5.11)でJ(J+1)は全角運動量の2乗であるJ^2の期待値であり、
new-chap5.pdf p72 図5.4の説明の4行目 [誤植]
(誤) S_z = 3
(正) S_z = 3/2
new-chap5.pdf p72 下から3行目 [誤植]
(誤) S_z = 3
(正) S_z = 3/2
new-chap5.pdf p72 補足*1)の下から1行目 [誤植]
(誤) すぐに、このフントの規則に合わない場合を示す。
(正) 後ほど、このフントの規則に合わない場合を示す。
new-chap5.pdf p73 8行目 [誤植]
(誤) この導出は演習問題5ー2で行う。
(正) これの導出は演習問題5-2で行う。
new-chap5.pdf p73 下から12行目 [誤植/文法構造不正]
(誤) 全角運動量Jではなく、全スピン角運動量Sになり、軌道角運動量がないように見えるので、軌道角運動量の消失と呼ぶ。
(正) 全角運動量Jではなく、全スピン角運動量Sの関数になり、軌道角運動量がないように見えるので、これを軌道角運動量の消失と呼ぶ。
new-chap5.pdf p73 補足*2)の1行目 [文法構造不正]
(誤) 原子の場合は都合の良いことに、f軌道までなので、Lの最大値は6なので都合が良いが、人工原子(Siの中に仮想的に作った原子の構造)だともっと高い角運動量になる。
(正) 原子の場合は都合の良いことに、f軌道までなので、Lの最大値は6となり都合良いが、人工原子(Siの中に仮想的に作った原子の構造)だともっと高い角運動量になって、不都合が生じる。
new-chap5.pdf p73 補足*1)の2行目 [文法構造不正]
(誤) 球面調和関数は複素数の関数でのmの量子数は、L_zに直接対応している。
(正) 球面調和関数は複素関数であり、その量子数mは、L_zに直接対応している。
new-chap5.pdf p74 2行目 [誤植]
(誤) S_z=3/2,から
(正) S_z=3/2から
new-chap5.pdf p74 3行目 [誤植/文法構造不正]
(誤) 鉄属の場合のランデのg因子はJ=S,L=0とおいて、すべて2になる。
(正) 鉄族の場合、J=S,L=0とおけて、ランデのg因子はすべて2になる。
new-chap5.pdf p74 5行目 [誤植]
(誤) 鉄属
(正) 鉄族
chap5.pdf p75 下から6行目(5.17)式最右項 [誤植]
(誤) X_{CW}B_{外}
(正) M/B_{外}
new-chap5.pdf p75 下から4行目 [誤植]
(誤) T≡Cλ
(正) Tc≡Cλ
new-chap5.pdf p75 補足*1)の2行目 [誤植]
(誤) 再び温度を下げていくと強磁性になるのであるが、
(正) 再び温度を下げていくと強磁性になるのだが、
new-chap5.pdf p75 補足*1)の3行目 [文意不明瞭]
(誤) 温度が下げていくときにバラバラであった、磁気モーメントがそろっているところ(磁区)が小規模に出来るため
(正) 温度が下げていくと、バラバラであった磁気モーメントが、小規模的にそろい始めるため
new-chap5.pdf p75 補足*1)の下から1行目 [文法構造不正]
(誤) データの書き込みと、読み込みではコイルに流れる電流で制御できる。
(正) データの書き込みと読み込みは、コイルに流れる電流で制御できる。
a5sb2040 櫛引駿介 12/12報告
chap6.pdf p.80 6行目
(誤) エネルギー失う
(正) エネルギーを失う
a5sb2040 櫛引駿介 12/12報告
chap6.pdf p.80 10行目
(誤) よってよって
(正) よって
a5sb2040 櫛引駿介 12/12報告
chap6.pdf p.83 6行目
(誤) I=EH/μ0
(正) I=EB/μ0
a5sb2040 櫛引駿介 12/12報告
chap6.pdf p.87 下から2行目, p88 4行目
(誤) 満す
(正) 満たす
a5sb2040 櫛引駿介 12/12報告
chap6.pdf p.88 下から3行目
(誤) 基底状態に落ちる(図(6.6))*2)
(正) 基底状態に落ちる(図(6.6))*2)。
a5sb2040 櫛引駿介 12/12報告
chap6.pdf p.90 2行目
(誤) 誘導放出がおきる。(図(6.2))。
(正) 誘導放出がおきる(図(6.2))。
a5sb2040 櫛引駿介 12/12報告
chap6.pdf p.96 1行目, 図6.10(a)の解説2行目
(誤) Im(ω)
(正) Im(ε)
a5sb2040 櫛引駿介 12/12報告
chap6.pdf p.98 演習問題の2行上
(誤) 得意な物性
(正) 特異な物性
** 質問など [#dbdcdb6f]
- 質問などは、ここに名前をつけて書いてください。誰もが編集できますので、
消される可能性があることを理解してください。
質問 (例）ここの入力方法がわかりません。
答 授業で説明しましたので、友達に聞いてください。
質問 ここの入力方法がわかりません。
答 入力できた学生に聞いてみてください。質問が入力できるのな入力できるのでは？
質問 (最新の提出記録から２週間たっているものは無効) 掲示板のこの記述ですが無効になったときは他の誰かが消して問題をする宣言をし直してもいいのでしょうか？
答 消さないで、前の人の最後の部分に、無効確認と言う文字と日付を書いてください。その次の行に新たに宣言してください。無効確認は２週間後にできます。
質問 メールで最終提出したにも関らず、ポイントに加算されていません。
答 受理された場合には、お返事のメールがあります。お返事のメールが無い場合には、メールが届いていない可能性があります。
メールのSubject 欄に何も用件が書いていない、メールの本文が無いような場合には、SPAM（迷惑メール）と認識されて自動的にゴミ箱に入ります。
ゴミ箱に入ったメールはチェックしません。メールは、名前と用件を必ず書くようにしてください。
質問 「中間試験、期末試験(合計 80 点満点)」とありますが期末試験は30点満点なのでしょうか。
答 方針を変更して、合計100点満点としました。
** ポイント状況 [#ycc83041]
- ポイント状況は、[[授業の頁:http://flex.phys.tohoku.ac.jp/japanese/edu/Bussei/]]の下のほうにのせました。これは、成績の点に関係しますが、決定の点ではありません。一般の人が記入できない空間にしました。最終の成績は公表されません。
![[PukiWiki]](image/c60.png "[PukiWiki]")
