半導体(Si, GaAs, InP などなど)中に希土類元素(主にEr: エルビウム Yb: イッテルビウム)を注入して、発光させる(PL or EL)。最終的には発光デバイス化を目指している。最近は主に多孔質シリコン(Porous Si)中の希土類イオンの発光に関する研究を行なっている。
半導体中で希土類を発光させると何がいいのか?
希土類は最外殻の電子によるシールド効果のために、4f-4f遷移による発光は母体に影響されず、その希土類特有の鋭い発光スペクトルを示す。希土類イオンドープ半導体が発光デバイスとして実現すれば、小型で信頼性の高い半導体光素子が実現することになる。