正方格子の電子状態密度

正方格子の電子状態密度の計算

エネルギー分散関係
overlap 積分を 1 とすると、
E = ε + t・exp( ik1a ) + t・exp( ik2a ) + t・exp( ik3a ) + t・exp( ik4a )
E = ε + t・{ exp( kxa ) + exp( kya + exp( -kxa ) + exp( -kya ) }
E = ε + 2t・{ cos(kxa) + cos(kya) }

原子1個あたりの 状態密度を計算する。
D(E) を 原子1個あたりの 状態密度とする。
微小領域 dkx dky での kの格子点/atom は sin(ax) / sin(ay) * (a/2π)2 dkx
各微小領域の状態密度は、2.0・sin(ax)/sin(ay)*(a/2π)2・(dkx+dkx)/dE・dkx で与えられる。
これを積分すれば、エネルギーE での状態密度が計算される。( ε=0[ev] , t = -1.0[eV] )


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