正方格子の電子状態密度
- 正方格子の電子状態密度の計算
- エネルギー分散関係
- overlap 積分を 1 とすると、
- E = ε + t・exp( ik1a ) + t・exp( ik2a ) + t・exp( ik3a ) + t・exp( ik4a )
- E = ε + t・{ exp( kxa ) + exp( kya + exp( -kxa ) + exp( -kya ) }
- E = ε + 2t・{ cos(kxa) + cos(kya) }
- 原子1個あたりの 状態密度を計算する。
- D(E) を 原子1個あたりの 状態密度とする。
- 微小領域 dkx dky での kの格子点/atom は sin(ax) / sin(ay) * (a/2π)2 dkx
- 各微小領域の状態密度は、2.0・sin(ax)/sin(ay)*(a/2π)2・(dkx+dkx)/dE・dkx で与えられる。
- これを積分すれば、エネルギーE での状態密度が計算される。( ε=0[ev] , t = -1.0[eV] )
-
理論 Home page.
研究室 Home page.
コメントまたはアドバイスなどがあれば以下のアドレスへどうぞ。
ryouma@tube.ee.uec.ac.jp
andou@tube.ee.uec.ac.jp