1998 年M2 中間発表プログラム 1998 年M2 中間発表プログラム
電子デバイス工学講座 M2 中間発表 9 月 22 日 (火) 9:00-12:00 pm. W2-201
内容: ポスター A0 1 枚。M1 は参加を義務、評価するとします。
M2 は、発表時間以外はその他のポスターを議論。教官と
の議論は、レポートとし指導教官に報告。予稿提出。
M1, 教官による評価は、 評価
表 を当日配りますが、評価基準の内容に目を通しておいて下さい。
山口研 9730040 飯銅 剛 handoh tsuyoshi
歪InGaAs/GaAs超格子探針のスピン偏極-STMへの応用
山口研 9730041 平池 忠浩 hiraike tadahiro
歪制御InGaAsバッファ層へのInAsドットのＭＢＥ選択成長
中田研 9730001 赤松 博 Akamatsu Hiroshi
Ca1-xSrxF2:Sm のITC法による研究
中田研 9730030 中原 宏治 nakahara kouji
CaF2:K,MnのITC法による研究
田中研 9730007 伊東 知仁 Ito Tomonori
NaYゼオライト内部へのSi微粒子の作製
田中研 9730021 坂本 隆 Sakamoto Takashi
シリコン及び窒素終端シリコン微粒子のテフロン上への作製とその評価
名取研 9730031 中村 大亮 Nakamura Daisuke
量子ドット多電子状態の磁場効果
名取研 9730039 原田 博司 Harada Hiroshi
Si(111)微斜面の表面融解
木村研 9730029 中ノ瀬 貴生 Nakanose Takao
イオン注入法により作製したEr添加Siにおける 1.54μm発光の時間応答
木村研 9730056 山下 裕 Yamasita Yutaka
Si 中に熱拡散したEr の発光
木村研 9730070 王 威 Wang Wei
イオン注入Er ドープ ポーラスシリコンのEr 発光中心サイト
齋藤研 9730052 八木 将志 Yagi Masashi
ドナー、アクセプター型ドープ微小黒鉛クラスターの電子状態
プログラムの登録の〆切 8 月 31 日 (月) (登録は e-mail のみです。) ==> 締め切りました。詳しくは 登録の仕方 を参照ください。
予稿の〆切 9 月 16 日 (水) 12 時 までに、各研究室でまとめデバイスの先 生に届くように配ること。また同じものを、別に当日 30 部用意す る。コピーは経費がかかるので、必ず印刷機を利用すること。印刷 機は混むことが予想されるので、〆切に余裕をもって処理すること。
予稿の format : 1 人 B4 1 枚、横置き、B4 1 枚 で2 ページにか くこと。2 cm 以上の上下左右の マージンをつけること。各ページ では タイトル、要旨 以外 は 2 段組にすること。したがって 2 ページでは 4 段になる。図や表には番号をつけ、必ず caption を つけること。背景となった参考文献・発表実績を最後に記す。内容 として、研究室名、名前、研究するにいたった問題点、目的、方法 を明瞭に完全な文章でかくこと。過去の学生の行なった部分と自分 の行なった研究を参考文献等で明示すること。また、研究が進行状 況にある場合には、研究の経過をおおよその日時とともに説明する こと。最後に主に得られた結果と今後の問題点を記すこと。ポスター の形式は比較的自由とするが、内容は予稿に準拠する。ポスターの 台の部分は研究室で用意すること。
予稿を研究室でまとめる場合には、最初のページに目次をつけるこ と。B4 をおる必要はない。左上に ホッチキスでとめること。表示 のページは、発表会にふさわしい内容にすること、不真面目なもの は、作り直しを要求する。
ポスターの format : A0 縦おき。文字数は最小限にすること。ポ スターをはるボードは、研究室で用意してください。ポスターの上 部に上のプログラムの情報を書く事。研究室に飾ることを考えて、 プレセンテーションを考えたものであることが望ましい。
当日は教室の机の移動やポスターの設置等があるので、9 時に は じめられるように 準備すること。前日の夕方以降に準備してもよ い。M1 は評価をするので当日、9時に点呼を行なう。