1998 年集中輪講プログラム

学部 集中輪講 9 月 21 日 (月) 午前 9:00-12:00, 1:15-4:00
   (場所 W2-101, 201)

   内容: 発表 10 分、質疑応答 4 分、交替 1 分。
         論文の内容の発表。論文は、指導教官が選択。
         予稿提出。

W2-101 会場 9:00-10:30 (安永、河野、一色)

山口研 9510066 斎藤 佳邦 Saito Yoshikuni
E. Y. Lee, V. Narayamamurti, "Monte Carlo simulations of ballistic-electoron-emission-microscopy imaging and spectroscopy of buried mesoscopic structures", Phs. Rev. B, Vol. 55, R16033-R16036 (1997).

山口研 9510108 寺澤 博雅 Terasawa Hiromasa
Hao Lee, Weidong Yang, and Peter C. Sercel, "Temperture and excitation dependence of photoluminescence line shape in InAs/GaAs quantum-dot structures", Phy. Rev. B, Vol. 55, 9757-9762 (1997).

山口研 9510143 廣田 栄伸 Hirota Hidenobu
J. W. G. Wildoer, C. J. P. M. Harmans, H. van Kempen, "Observation of Landau levels at the InAs(110) surface by scanning tunneling spectroscopy", Phy. Rev. B, Vol. 55, R16013-R16016 (1997).

山口研 9510190 八木修平 Yagi Shuuhei
N. Grandjean, J. Massies, and M. Leroux, "Monte Carlo simulation of In surface segregation during the growth of In_xGa_1-xAs on GaAs(001)", Phys. Rev. B, vol. 53, 998-1001 (1996).

山口研 9520011 川口 和寿 Kawaguchi Kazutoshi
T. R. Ramachandran, A. Madhukar, I. Mukhametzhanov, R. Heitz, A. Kalburge, Q. Xie, and P. Chen, "Natural of Stranski-Krastanow growth of InAs on GaAs(001)", J. Vac. Sci. Technol. B 16(3), 1330-1333, (1998).

W2-101 会場 10:45-12:15 (安永、河野、一色)

安永研 9510186 ヘルミ ビン モハマド タヒル Hermie Bin Md.Tahir
A. A. Baski, H. Fuchs, "Epitaxial growth of silver on mica as studied by AFM and STM," Surface Science, Vol. 313(1994), 275-288.

河野研 9410133 中平 幸男 Nakahira Sachio
Kai. Starke, Eduardo Navas, Elke Arenholz, LutzBaumgarton, and Gunter Kaindl, "Magnetic Circular Dichroism in Potoemission form Rare Earth Materials: A New Technique in Surface and Thin-Film Magnetism", IEEE TRANSACTION ON MAGNETICS, Vol. 31, No. 6, 3313-3318 (1995).

河野研 9510057 小谷 宣之 Kotani Nobuyuki
John F. Conley, Jr. "Application of Electron Spin Resonance as a Tool for Building In Reliability (BIR)". Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 428, 293-310 (1996).

河野研 9510142 平野 邦夫 Hirano Kunio
Khattak C. P. , Schmid F. , Schubert W. K. ,"High-efficiency solar cells using HEM silicon", IEEE World Conf Photovoltaic Energy Convers, Vol2, 1351-1355(1994).

河野研 9510174 山田　克己 Yamada Katsumi
Fuzu Zhang, Stuart Wenham, and Martin A. Green, "Large Area Concentrator Buried Contact Solar Cells", IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 42, No. 1, 144-149(1995).

W2-101 会場 13:15-14:45 (木村、田中、河野)

河野研 9510187 ホンビョンチョル HongByungChul
W. A. BADAWY."preparation,eletrochemical,photoelectrochemical and solid-state characteristics of indium-incorporated TiO2 thin films for solar cell fabrication".JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE 32 4979-4984(1997)

田中研 9420036 福井 啓八 Fukui Keihachi
Shaoqiang Zhang and Rongfu Xiao is,"Yttrium oxide filmsprepared by pulsed laser deposition," J.Appl.Phys.Vol.83,3842-3848(1998)

田中研 9510009 飯島 宏一 Iijima Hirokazu
Qi-Zong Qin, Zhen-Hui Han, and Hai-Jun Dang, "An angle-resolved time-of-flight mass spectrometric study of pulsed laser ablated Ta₂O₅", J. Appl. Phys. , Vol. 83, No. 11, 6082-6088 (1998).

田中研 9510032 大賀 功一 Kouichi Ohga
H. Schmidt, J. Ihlemann, B. Wolff-Rottke, K. Luther, and J. Troe, "Ultraviolet laser ablation of polymers: spot size, pulse duration, and plume attenuation effects explained, "Journal of applied physics. Vol. 83, 5458-5467(1998).

田中研 9510044 貝塚 隆晃 Takaaki Kaizuka
C. Xu, Y. long, R. Zhang, L. Zhao, S. Qian, Y. Li, "Laser ablaition

W2-101 会場 15:00-16:30 (田中、名取、齋藤)

田中研 9510086 鷲見 聖二 Sumi Seiji
V. V. Kveder, V. D. Negrii, E. A. Shteinman, A. N. Izotov, Yu. A. Osip'yan, and R. K. Nikolaev, "Long-lived excited states and photoluminescence excitation in single crystals of fullerence C₆₀", JOURNAL OF EXPERIMENTAL AND THEORETICAL PHYSICS, VOL 86, NUMBER 2, 405-411(1998).

田中研 9510133 浜口宏治 Hamaguchi Koji
E.C.Samano,G.Soto,J.Valenzuela,and L.Cota,"In situ monitoring and characterization of SIC interface formed in carbon filmes grown by pulsed laser deposition" J.Vac.Sci.Technol.A,Vol.15,No.5,2585-2591(Sep/Oct 1997)

鈴木研 9410044 小野 啓一 Ono Keiichi
R. T. Delamarter, BIG BLUE IBM'S USE AND ABUSE OF POWER 37-53 (1986)

鈴木研 9410049 角　伸一郎 Kado Shinitiro
R. T. Delamarter, BIG BLUE IBM'S USE AND ABUSE OF POWER 121-146 (1986)

河野研 9510052 京谷 貴道 Kyoya Takamichi
P. Krecmer, A. M. Moulin, R. J. Stephenson, T. Rayment, xxxxxxxxx

W2-201 会場 9:00-10:30 (齋藤、奥山、名取)

齋藤研 9420002 安藤 泰夫 Ando Yasuo
C. H. Xu, C. Z. Wang, C. T. Chan, and K. M. Ho, "A transferable tight-binding potential for carbon", J. Phys. Condens. Matter Vol. 4, 6047-6054 (1992).

齋藤研 9510191 山岡 寛明 Yamaoka Hiroaki
C. S. Jayanthi, S. Y. Wu, J. Cocks, N. S. Luo, Z. L. Xie, M. Menon and G. Yang,"Order-N method for a nonorthogonal tight-binding Hamiltonian", Phys. Rev. B Vol. 57, 3799-3802(1998).

名取研 9420038 丸山 峰明 Maruyama Mineaki
Y. Wada, "Atom electronics: a proposal of atom / molecule swithcing devices", Surface Science, Vol. 386, 265-278 (1997).

名取研 9510018 石丸 泰之 Ishimaru Yasuyuki
T. Fujita, Y. Okawa, Y. Matsumoto, K. Tanaka, "Phase boundaries of nanometer scale c(2*2)-O domains on the Cu(100) surface", Phys. Rev. B, Vol. 54, 2167-2174 (1996).

名取研 9510036 大沼 伸 Ohnuma Shin
Y. Wada, T. Uda, M. Lutwyche, S. Kondo, and S. Heike, "A proposal of nanoscale devices based on atom/molecule switching". J. Appl. Phys. Vol. 74, No. 12, 7321-7328, (1993).

W2-201 会場 10:45-12:15 (木村、名取、奥山)

名取研 9510106 鶴木 博 Tsuruki Hiroshi
Adriano Barenco, Charles H. Bennett, Richard Cleve, David P. DiVincenzo, Norman Margolus, Peter Shor, Tycho Sleator, John A. Smolin, and Harald Weinfurter, "Elementary gates for quantum computation", Phys. Rev. A Vol. 52, 3457-3467(1995).

木村研 9510092 高松 圭 Takamatsu Kei
A. M. Dorofeev, N. V. Gaponenko, E. E. Bachilo, N. M. kazuchits, A. A. Leshok, G. N. Troyanova, N. N. Vorosov, V. E. borisenko. "Erbium luminescence in porous silicon doped from spin-on films". J. Appl. Phys. Vol.77. No.6. 2679- 2683 (1995)

木村研 9510131 服部 真吾 Hattori Shingo
S. Librtino, S. Coffa, and G. Franzo, "The effects of oxygen and defects on the deep-level properties of Er in crystalline Si" J. Appl. Phys. Vol. 78, 3867-3873(1995)

木村研 9510161 三宅 斉 Miyake Hitoshi
A.Polman, D.C.Jacobson, D.J.Eaglesham, R.C.Kistler,andJ.M.Poate, "Optical Doping of waveguide materials by MeV Er implantation", J.appl.Phys. vol.70,no.7,3778-84,(1991)

奥山研 9410203 ミミ　サディナ Mimi Sadina
J. Robertson, "Amorphous carbon cathodes for field emission display", Thin Solid Films, Vol. 296, 61-65 (1997).

W2-201 会場 13:15-14:45 (中田、湯郷、坂本)

中田研 9310038 開田 清隆 Kaita Kiyotaka
M. Suszynska, R. Capelletti "THERMALLY-INDUCED DEPOLARIZATION CURRENT SPECTRA OF NaCl:Ni²⁺ CRYSTALS,"ACTA PHYSICA A Vol.80,129-139(1991).

中田研 9410127 寺嶋 誠司 Terajima Seiji
S. Devautour, J. Vanderschueren, J. C. Giuntini, F. Henn, J. V. Zanchetta, "Analysis of thermally stimulated currents measured on ionic conductors", American Institute of Physics, 5057-5062(1997)

中田研 9410140 新原 正大 Niihara Masahiro
Wing C. Wong, Donaid S. McClure, Sergei A. Basan, Milan R. Kokta, "Charge-exchange processes in titanium-doped sapphire crystals. Charge-transfer transition states, carrier trapping, and detrapping" The Amirican Physical Society VOLUME 51, NUMBER 9. 5693-5698 (1995)

中田研 9410205 ユズリモハマドユソフ Yuzri Mohd Yusoff
S. Isber, S. Charar, C. Fau, V. Mathet, and M. Averous. "EPR spectra and magnetization of Eu ions in PbSe." Phys. Rev. B. Vol. 52. 1678-1682 (1995).

中田研 9510165 宮本 孝司 Miyamoto Koji
Tae Ho Yeom, Sung Ho Choh, Mao Lu Du, Min Su Jang, "EPR study of Fe3+ impurities in crystalline BiVO4", Phys. Rev. B, Vol. 53, 3415-3421 (1996)

W2-201 会場 15:00-16:30 (中田、湯郷、坂本)

湯郷研 9420015 木村 正光 Masamitsu Kimura
W.Kalss , R.Haubner , G.Lippold , B.Lux , "Diamond deposition on platinum and palladium - Raman investigations" , Diamond and Related Materials , Vol 7 , 158-164 (1998) .

湯郷研 9420039 武藤 信人 Nobuhito Muto
M. Gioti, S. Logothetidis, "The effect of substrate bias in amorphous carbon films prepared by magnetron sputtering and monitored by in-situ spectroscopic ellipsometry", Diamond and Related Materials, Vol 7, 444-448 (1998).

湯郷研 9510067 榊原 彩芳 sakakibara sayaka
R. Stockel, K. Janischowsky, S. Rohmfeld, J. Ristein, M. Hundhausen, L. Lay, "Growth of diamond on silicon during the bias pretreatment in chemical vapor deposition of polycrystalline diamond films", J.Appl.Phys , 768-776(1996).

湯郷研 9520007 沖本 勝律 okimoto katunori
N. M. J. Conway, W. I. Milne, J. Robertson, "Electronic properties and doping of hydrogenated tetrahedral amorphous carbon films", Diamond and Related Materials ,Vol 7 , 477-481(1998)

湯郷研 9520042 若菱 忠高 wakabishi tadataka
X. Jiang, C. P. Klages, "Recent Developments Heteroepitaxial Nucleation and Growth of Diamond on silicon" , phys.stat.sol , 175-183 (1996).

先頭の人が会場の責任者です。出席点呼、時間の記録、円滑な進行 等をよろしくお願いいたします。名取先生と河野先生に 3 回( 他 の人は2回)をお願いいたしましたので、責任者の負担を無くしてい ます。会場の最後の責任者の方は恐れ入りますが、学生の評価表を 回収下さいませ。

1. 当日は自分が発表する教室で、全ての人の発表を聞き、評価 します。 評価表の注意 を 見ておいて下さい。遅刻や全て出席しない場合には、再発表となり ます。
2. 集合時間は 10 分前です。研究室毎にまとめた予稿集と、評 価表をとってください。評価表には名前を必ず書いて下さい。
3. 当日は最初の発表者 2 人 が責任を もって 金曜日に OHP を借りておいて下さい。当日は学科事務室は 9 時には開いていませんので、発表ができない場合があります。ま た最後に同じ人が片付けておいて下さい。時計、ブザーは世話人の 研究室の人が用意します。
4. 時計係は、次の次の人が行ないます。(最後の人は、最初に戻 る)。また 司会は、次の次の次の人が行ないます。次が発表の人は、 交替を早めるため、OHP の すぐ前に座って下さい。また次に司会をする人も 交替を早めるため、司会のすぐそばに座って下さい。

   司会のそば => 司会 => 時計係 => OHPのすぐ前 => 発表 の順です。

5. 時計係は、前の人の発表が終り司会が名前をいった段階で ス トップウオッチをスタートさせて下さい。OHP をおいて話始める時 間ではありません。のろのろしてなかなか始めないのも発表者の責任です。 ストップウオッチがスタートしない場合には、出席者が計測します。 途中 7 分で、「7 分です」とコールしてください。10 分でも同様です。 発表がおわった段階で、発表時間を出席者全員にわかるように伝えて下さい。 出席者は自分で計測した値もしくはこの時計かかりの時間を評価表に 記入して下さい。14 分になったら、コールし発表を終了させます。
6. 司会係は、発表者の名前の紹介だけで結構です。「次は ○○ さんの発表です。」で十分です。論文の題目をいうと時間がかかる ので不要です。10 分が終ったときには、発表者を終了させるよう にしてください。12 分を越えて発表を続けた場合には、自動的に 司会者と発表者は再発表になります。司会者は質疑応答が 1 人に 偏らないようにする義務があります。長引く場合には中止させて下さい。
7. 質疑は、質問事項だけを簡潔に大きな声でいってください。 発表者は「え? 」などと質問を再度聞き返すことのないようしてく ださい。質問者はそういう場合でも質問を再度繰り返してはいけま せん。返事がなかったと評価表に記入するだけで質問したこととします。
8. 発表者は、「あのー、えー」とか不必要な言動は避ける事。 OHP は読む方が十分な時間だけ表示し、さっと片付ける事のないよう。 文章は、明確に区切り、一つのステートメントとして完結している事。
9. 論文の内容を考え、十分時間配分を考慮する事。練習をしな いで望むことが無いよう。また先輩に聞いてもらい、十分先輩が理 解できるような内容であること。自分が理解していない言葉を使うと 著しく評価が下がる。また発表にふさわしい表現、言葉使いである事。
10. ポインターで無闇にスクリーンを叩かない事。ポインターを 延ばしたり縮めたりしながら話さない事。これらは発表の評価点の 対象となる。また OHP の横にたって OHP 用紙を直接さして話さな い事。スクリーンをさして説明すること。さす場所が高い場合には、 ポインターの影を利用すると良い。全ての人にわかるようにたつ場 所を十分考慮する事。移動は速やかに行ない、また OHP は質疑に 答えられるよう、わかりやすく並べておく事。

詳しくは 登録の仕方 を参照ください。 どうしても登録のうまくいかない人は、既に登録した人に聞いて下さい。 私に e-mail をよこさないでください。==> 終了

予稿の〆切 9 月 21 日 (月) の 8: 45 まで、各研究室でまとめ W2-101, W2-201 に 各 30 部 (合計 60 部) 用意する。コピーは経 費がかかるので、必ず印刷機を利用すること。印刷機は混むことが 予想されるので、〆切に余裕をもって処理すること。

予稿の format : 1 人 B4 1 枚、横置き、B4 1 枚 で2 ページにか くこと。2 cm 以上の上下左右の マージンをつけること。各ページ では タイトル、要旨 以外 は 2 段組にすること。したがって 4 段ある。図や表には番号をつけ、必ず caption をつけること。発 表実績を最後に記す。内容として、研究室名、名前、研究するにい たった問題点、目的、方法を明瞭に完全な文章でかくこと。参考文 献を読んだ場合には、明示すること。OHP に使うような 重要な図 や表は copy して はりつけること。また、その caption の訳もつ けること。

研究室でまとめる場合には、最初のページに目次を つけること。B4 をおる必要はない。左上に ホッチキスでとめるこ と。表示のページは、発表会にふさわしい内容にすること、不真面 目なものは、作り直しを要求する。

OHP の format : 1 ページ 15 行以下の大きくわかりやすい字で要 点をしるすこと。発表時間が 10 分であることを考えて、OHP 5 枚 程度が望ましい。