電子デバイス工学講座: 木村・齋藤研究室

構成

1. 研究内容:

我々の研究室は、新しい半導体材料・デバイスの作製(実験)、また 計算による電子状態計算、ハードウエアの設計(理論)をしてきた。 下記に紹介する卒業研究のテーマもその方向から選ばれたものであ る。かなり専門的な内容であるが、指導教官や大学院生と共に研究 を進めていくので、前提となる知識は特に必要としない。テーマの 選択は希望を尊重する。自主的に研究を切り開いていくような積極 的な学生を望む。

研究室の来年度の構成は、上記のスタッフに加え大学院生とし て8 名(M2 5名、M1 3 名)。木村教授及 び一色助手はおもに実験、齋藤 助教授は 理論を研究の手段としている。 イオン打ち込み装置、 フォトルミネ センス装置，その他 SVBL の実験装置を駆使して新しい材料，デバ イスを作製、評価することに興味を持っている学生は木村教授に、 また電子状態の計算手法の物理や集積回路の設計等など種計算機 (ハード、ソフトウエア)を作るのに興味を持っている学生は齋藤助 教授に、と別れて研究が進む。両方に興味を持っている学生は合同 セミナー等で知識を磨く事ができる。KDDの研究所 (上福岡市)や、理化学研究所 (和光市)で行う課題(各1-2名)もある。外部の研究所の環境で勉強することもできる勉強することもできる。

イオン打ち込み装置 (サテライトベンチャービジネスラボラトリー SVBL)

卒業研究は基本的に木村研究室、齋藤研究室別に募集する。 居室、予算、セミナー等は一緒である。全体セミナー、宴会スポー ツ等はさらに 湯郷研究室 と合同で行っている。OB 会等も充実し、幅 広い分野にまたがって知識と友人を得る事が可能だ。

• 半導体の希土類原子の発光現象を利用した新しい発光デバイスの開発(2-3名)
• 半導体量子細線の作成と光デバイスへの応用(2-3名)
• 半導体へのイオン注入とその特性制御(1-2 名)
• Si 上への SiO₂膜の成長 (1-2名)
• 光デバイス関連(または関連課題 KDD研究所、1-2名)
• 半導体集積回路の故障メカニズムとその故障分布モデルに関 する研究(1名, 夜間主コース)

• カーボンナノチューブの構造・電子状態の計算(2名)
• MOPAC を用いた表面化学反応解析 (3 名)
• 列計算専用 LSI の設計と開発(3名)

ダイヤモンド核に 接近したCH3* が水素原子を引き抜き、
ダイヤモンド成長している様子(MOPAC93 による計算)

2. 研究室のセミナー・設備:

卒業研究グループの打ち合せ(週一度)と院生を含めた研究室全体で のセミナー(週一度)がある。研究内容の議論を行うと共に半導体の 基礎知識を勉強する。研究室全体のセミナーではプレゼンテーションの方法の指導や研究内容の議論を集中的に行なう。研究室の設備 として、 イオン打ち込み装置 (平成8年度新規導入，SVBL 棟)、真 空蒸着装置、アニール装置、フォトルミネッセンス装置、プラズマ CVD 装置等がある。ワークステーションは現在 6 台(ハードディス ク 16 GB)、X 端末が 7 台、 pc 端末が 8 台あり、その他に計算 機環境として必要な物はそろっている。

3. 研究室活動:

1998 年 11 月 の OB 会 (於: 箱根 静雲荘)。

4. 就職状況:

5. 先輩からメッセージ:

98年度卒業生 八木君が、Carbon98 の国際会議でポスター発表

6. 研究室の公開

日時: 1月19日(火)午後4時00分から1時間程度
集合: 西2号館217号室 (研究室)
内容: 概論、研究室及び実験室の公開、質疑応答
( 注: 齋藤は、16:30 より会議で不在のため 公開時間を 16:00 に繰り上げます。16:00-16:30 の間は、齋藤も 217 にいますのでよろしくお願いいたします。)

尚1月18日から21日迄(16:30 以降)いつでも研究室の公開、個人的 な質問・相談を受け付けます。研究室志望者は、木村(西2-519)、 又は齋藤(西 2-517)迄顔を出して下さい。(注: 齋藤は、出張で 20, 21日 と不在です。齋藤の方を志望する人は、19 か、22 日にいらしてください。 e-mail も可)研究室の詳細は WWW 上 でも公開されています。 教育系の WWW から木村・齋藤研究室紹介をみるといろいろな ことが随時見ることができます。

研究室の URL: http://flex.ee.uec.ac.jp/japanese/index.html です。