木村・齋藤研研究室紹介 2002版

木村研: 概要; ErドープSi 1.54μm発光メカニズムの解明; Erを添加したSi光導波路の作製; MBE法によるSi/SiO₂多層構造1.54μm発光ダイオードの作製; ZnO膜光デバイスの開発; MOCVD法によるGeドット，SiGeの作製
齋藤研: 新しい電子状態の計算法関連カーボンナノチューブ; グラファイト関連; VHDL関連ユニバーシティプログラム; ダイヤモンド関連

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編集者:大竹　ohtake@tube.ee.uec.ac.jp
　　　　渡辺　watanabe@tube.ee.uec.ac.jp